半导体物理分章答案第八章.pptVIP

表面态概念 表面电场效应 MIS结构电容-电压特性 硅-二氧化硅系统性质 §8.1 表面态 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 强反型时空间电荷层达到最厚 由8-43式得 1. 二氧化硅中的可动离子 2. 二氧化硅中的固定表面电荷 3. 在硅–二氧化硅界面处的快界面态 4.二氧化硅中的陷阱电荷 二氧化硅中的可动离子有Na、K、H等，其中最常见的是Na离子，对器件稳定性影响最大。 来源：使用的试剂、玻璃器皿、高温器材以及人体沾污等 二氧化硅结构的基本单元是一个由硅氧原子组成的四面体，呈无规则排列的多孔网络结构，从而导致Na离子易于在二氧化硅中迁移或扩散。 作偏压–温度（B-T）实验，可以测量二氧化硅中单位面积上的Na离子电荷量： 单位面积钠离子电荷数： 二氧化硅层中固定电荷有如下特征 电荷面密度是固定的，不随偏压而变化； 这些电荷位于Si-SiO2界面200?范围以内 固定表面电荷面密度的数值不明显地受氧化层厚度或硅中杂质类型以及浓度的影响 固定电荷面密度与氧化和退火条件，以及硅晶体的取向有很显著的关系 一般认为固定正电荷的实质是过剩硅离子 这些电荷出现在Si-SiO2界面200?范围以内，这个区 域是SiO2与硅结合的地方，极易出现SiO2层中的缺陷及 氧化不充分而缺氧，产生过剩的硅离子 实验证明，若在