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2019-07-06 发布于天津
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第五章低噪声放大器（Low-Noise Amplifier, LNA） 5.1 晶体管的高频等效电路 5.2 低噪声放大器指标 5.3 低噪声放大器设计 5.4 S参数与放大器设计 1 5.1 晶体管高频等效电路射频集成电路主要工艺砷化钾 GaAs —— 最高频率达到50~100GHz 超高速微电子学和光电子学双极（bipolar ）工艺技术截止频率 (GHz) Bipolar 25 – 50 BiCMOS 10 – 20 SiGe HBT 40 – 80 CMOS —— 噪声低、线性特性好、与数字集成电路兼容 3GHz以上 2 5.1.1 BJT晶体管小信号模型  共射放大器原理图基极偏置 VBEQ 决定基极偏置电流 IBQ i 集电极电源 VCC 共同决定工作点Q B 负载电阻 RL I BQ 输入信号为 , vBE VBEQ vs V BEQ 输出电流公式 V CC R q q q L i I ekT vBE I ekT VBEQ vs  I ekT vs C S S CQ I I BQ CQ kT 当 V V ( V 26 mV