半导体界面问题概要.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Semiconductor Physics * * 带带隧穿(band-to-band tunneling) Semiconductor Physics * * 栅介质SiO2层的隧穿电流 Semiconductor Physics * * 栅介质SiO2层的隧穿电流 Semiconductor Physics * * 热载流子注入（Injection of Hot Carrier） Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * 本章-书上第七章部分内容 √ §7.1 金属半导体接触及其能级图 §7.2 金属半导体接触整流理论 √ 整流作用的定性描述 2. 热电子发射理论 √热电子发射理论的结果 √4. 肖特基势垒二极管 书上第八章部分内容 √ §8.2 表面电场效应 √ §8.3 MIS结构的电容-电压特性 书上第九章部分内容 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Semiconductor Physics * * ★ 高频C-V特性 ? 表面积累,表面耗尽,高低频特性一样 ? VGVT, VS2VB, 表面强反型, 高频时,反型层中电子的增减跟不上频率的变化,空间电荷区电容呈现的是耗尽层电容最小值 ?MOS结构的电容也呈现最小值不再随偏压VG呈现显著变化 Semiconductor Physics * * 反型层电荷主要由少数载流子决定，在低频时，它随电场的变化而变化，反型电容起重要作用。当频率高于某一频率值时，反型层电荷（少子电荷）将不能交变信号，即少子的产生复合的速度跟随不上电场频率的变化，于是反型层电荷将不随交变电场变化，这意味着与反型层电荷相关的交变电容为0。 假设少子的响应时间由少数载流子产生－复合电流决定。 在响应时间内，要能够产生足够的少子补偿耗尽层电荷的作用 Semiconductor Physics * * 则响应时间为： 该值的典型值为：0.1~10秒。因此，当交变电压信号的频率高于100Hz时，反型层电荷将跟不上栅压的变化，只有耗尽电荷（多子行为）能够跟随电压信号的变化而变化，于是，Si电容只由耗尽层电容决定，由此确定的最小电容值发生在发生强反型的最大耗尽层厚度情形，表达式为： Semiconductor Physics * * Semiconductor Physics * * 图8-12 Semiconductor Physics * * ③ ③ Semiconductor Physics * * ★ 深耗尽状态 当偏压VG的变化十分迅速, 且其正向幅度大于VT , 则: 即使表面势VS2VB ,反型层也来不及建立, 耗尽层宽度随偏压幅度的增大而增大--深耗尽状态 当表面处于深耗尽--随VG增加, d增加(dM), MOS结构的电容不再呈现为最小值. Semiconductor Physics * * ★ 实际MOS结构 (Ⅰ) 功函数差异的影响 平带电压 --为了恢复半导体表面平带状态需要加的电压. 考虑功函数差异的影响: VFB= - Vms Semiconductor Physics * * Semiconductor Physics * * 非理想MOS电容的热平衡 P型硅里的空穴的平均能量比金属中空穴的平均能量要高，达到热平衡时将发生空穴从硅向金属移动，硅表面能带向下弯曲。 热平衡时，Vg=0 (1) 在材料界面处EC和EV突变 (2)在SiO2上压降大小与硅中表面势和费米能级Ef 有关，因为没有电流流过SiO2，这一电压可以维持下去。 (3)存在势垒限制载流子在金属与半导体之间运动 (4)在硅表面，EV 离EF较远，表面空穴耗尽。 Semiconductor Physics * * 非理想MOS电容的偏置 通过外加栅压VFB=φM ?φS，可以使半导体恢复到平带，所加的电压