离线式开关电源芯片中部分子电路的分析与设计.pdfVIP

摘 要 摘 要 单片式开关电源集成电路具有高集成度、高性价比、外围电路简单、能构成 高效率电源等优点，因而得到了广泛应用。国外的单片式开关电源芯片多采用BCD 工艺制成，虽然性能优异，但却成本高昂。 本文设计了一种离线式开关电源芯片，内部集成耐压700V 的功率管，采用简 单的开/关工作模式，工作频率为132kHz，最大输出功率约为15W ，集成有保护电 路。采用陈星弼教授的专利，不采用介质隔离或 PN 结隔离（BCD 工艺）的方法 而用普通 CMOS 工艺将高压功率器件与低压 CMOS 电路集成在一块硅片上的方 法，使功率集成电路的成本大大降低。 论文首先介绍了开关电源的基本原理，以及PWM 、PFM 等调制模式。 然后， 详细介绍了反激变换器，并着重介绍了简单的开/关调制模式在反激变换器中的应 用。进而，给出了整体电路的功能块框图。最后，分析和介绍了芯片中的部分子电 路，包括：电源噪声隔离电路、基准电压源启动前的状态锁定电路、带频率抖动 的振荡器和限流电路。分析这些子电路模块的工作原理并推导相关的计算公式， 并给出了仿真验证结果。 关键词：单片式开关电源集成电路，离线，反激，电源噪声，状态锁定，频率抖 动，限流 I ABSTRACT ABSTRACT Because of the virtues of high integration level, the most cost effective, the lest component count switcher solution, high performance, forming high efficiency power supply and so on. Monolithic SMPS (switching mode power supply) management Integrated Circuit was now widely used. Most of monolithic SMPS chips made abroad are based on BCD process. Although, they have excellent performance, but also have high cost. An off-line switcher chip is developed. A power MOSFET with breakdown voltage exceeds 700 is integrated on this chip, the maximum output power is about 15W, working frequency is fixed at 132 kHz, protective functions has been integrated. We use the patent of XingBi Chen, not using the method of medium insulation or PN junction insulation (BCD process), but make high voltage power device and low voltage CMOS circuit on a same silicon wafer through general CMOS process, which makes SPIC is more cost-effective. The basic theory of SMPS and PWM, PFM are given first. Then, introduce flyback converter, and simple on/off control mode