多晶硅新的质量检验跟若干问题的探讨.pdfVIP

KD 昆德科技 2009 年第五届中国太阳级硅及光伏发电 研讨会（5th CSPV ） 多晶硅的质量检验 及若干问题的探讨 主讲人 王世进总工 KD 昆德科技 目 录 一、多晶硅的结构与晶界效应 二、电阻率及补偿度的测量 三、单晶硅的少子寿命测量 四、样品制备与热处理 KD 昆德科技 一、多晶硅的结构与晶界效应 1、多晶硅的结构 三氯氢硅法及硅烷法生长的多晶硅横截面放大照 ³2 ³100 照片1 三氯氢硅多晶棒 照片2 硅烷多晶沿硅芯 横截面的晶粒分布照 生长的显微照 从以上照片可以看出三氯氢硅多晶的晶粒较大，有的晶粒尺寸达 “毫米” 数量级，硅烷多晶的晶粒呈 “羽绒状，晶粒大小仅有 “亚微米——数十微 米”。 多晶就是由这些结晶方向不一，外形不规则的小晶粒组成。每个小晶粒 内的原子按周期排列，构成单晶，两个晶粒交界区的情况比较复杂。 KD 昆德科技 2、晶粒间界及晶界效应 + （a ）晶粒之间的界面 （b）电荷分布 因为晶粒内整齐排列的原子键到了晶粒与晶界区的交界处，即中断或产生严重变形， 形成许多交选悬挂键和键形变，与这些残缺键相接的又是若干层无序排列的硅原子。在这 样的晶界区内，无疑会存在着高密度的缺陷，在缺陷附近形成一种易于捕获载流子的能量 状态——陷阱态。一当它们捕获了晶粒内的载流子，处于荷电状态，便在两个晶粒之间形 成一个势垒区。（以下均针对N型多晶硅讨论），如图上所示。 KD 昆德科技 （a ）晶粒内侧的耗尽层 （b）空间电荷区的电势分布 图2 晶界两侧的晶粒中，由于载流子被陷阱捕获，产生一个有相当厚度的空间 电荷区，空间电荷区的电势变化可根据泊松方程： 2 d V qN 其解为： qN WGb 2 V(x) [(W  ) x ] dx2 ε 2 2 多晶是由大量的小晶粒组成，也就是一块不大的多晶中就 存在数量众多