信息材料第一讲.pptVIP

光信息技术发展“里程碑” 1958年，基尔比首创集成电路芯片 1962年，半导体激光器问世 1963年，克罗默、阿尔费罗夫提出异质结构 1966年，高琨关于光纤损耗的预言——2009年诺贝尔奖 1970年，阿尔费罗夫、哈雅希等实现激光二极管室温连续运转； 1970年，美国Corning公司实现光纤损耗 ? 20dB/km； 1970年，江琦提出量子阱概念 1971年，Kogelnik et al.提出DFB激光器概念 1975年，DFB、DBR激光器问世 1975年，量子阱激光器问世 1978年，亚里夫研制成功单片集成光发射机芯片 1987年，掺铒光纤放大器 光信息处理和计算已经提出。它可以发挥并列处理的优点，能高速处理信号。以全光计算机为目标、用光学系统为完成一维或多维数据的数字计算还处于探索阶段。研制开发高效低功耗的光子器件及相应材料是其关键。 目前，研制的高密度对称反射式自由电效应（SR-SEED）无腔面光双稳态开关集成面阵，其光功耗极低（小于10fJ/?m2），开关时间为纳秒，每秒可以进行上亿次光学数学处理。 光互连集成回路的应用可以有效解决电子计算机电信号受RC驰豫时间的限制，同时解决了电子信号自身干扰问题。 进展：立足于Ⅲ－Ⅴ族半导体化合物，利用材料的量尺寸效应，做成量子阱、量子线、量子点。开拓硅基材料，如SiGe/Si量子化材料。 磁存储技术及材料 70年代，将磁性氧化物（氧化铁）涂布在塑料薄膜或金属薄片上制成磁带或磁盘，存储密度为几b/in2级别。 80年代，采用超细磁性氧化物粉末以及薄膜氧化物磁头，存储密度到几百千b/in2。 90年代后，采用连续磁性薄膜介质的硬磁盘存储，如CoCrPt、CoCrTa等，存储密度到105b/in2。 更高存储密度（大于1Gb/in2）的硬磁盘则采用了高矫顽磁力（大于240KA/m）的连续纵向纳米晶粒磁性介质。 而实现磁垂直存储，则要采用各向异性（KU0.4J/cm3）的磁性介质，必然CoSm和Fe/Pt多层膜。 光功能材料 主要采用无机非线性光学晶体，如KTP、BBO、LBO、 LiNbO3等。 国内外光纤通信技术现状 光纤通信技术已成为最主要的信息传送技术 全球敷设光缆总数已超过5亿芯公里，预计到2007年将达到8亿芯公里 我国目前已敷设光缆总数已超过374万公里(截止2005年6月) 全球光通信产品的市场销售量已达370亿美元 一条光纤上传送的信号总容量已超过10.2Tb/s 单通路电时分复用最高速率已实现160Gb/s 40Gb/s的DWDM系统的无电中继距离已超1万公里 基于SDH的ASON节点设备已开始问世 通信光纤 日本是最大的生产国和输出国，占世界市场的70～80%；美国在1999年成功地建成了3条6英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先一步。日本住友电工是世界最大的砷化镓生产和销售商，年产GaAs单晶30t。美国AXT公司是世界最大的VGF GaAs材料生产商。世界GaAs单晶主要生产商情况见表6。国际上砷化镓市场需求以4英寸单晶材料为主，而6英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据35%以上的市场份额。研制和小批量生产水平达到8英寸。 砷化镓国际市场 GaAIAs／GaAs，GaInAs／GaAs，AIGaInP／GaAs；GalnAs／InP，AlInAs／InP，InGaAsP／InP等 GaAs、InP已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。 Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料 以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、良好的化学稳定性等独特的特性，它在光显示、光存储、光探测等光电子器件和高温、高频大功率电子等微电子器件领域有广阔的应用前景，成为半导体领域研究热点。 第三代半导体材料 SiC宽禁带半导体材料 使用硅器件的传统集成电路大都只能工作在250 ℃以下, 不能满足高温、高功率及高频等要求。SiC 具有独特的物理性质和电学性质, 是实现高温与高功率、高频、抗辐射相结合器件的理想材料。SiC 器件工艺, 如氧化、掺杂、刻蚀及金属-半导体接触, 都日臻成熟, 这些为SiC 器件的研制及应用奠定了基础。 信息处理技术与材料 光信息处理技术的发展 3、信息存储技术与材料 数字信息存储的要求： 高存储密度、高速据传输率、高存储寿命、高的擦写次 数及低价格。 计算机系统中的各种方式的存储器 内存储器要求集成度高、存取速度快。以半导体动态随机存储器为主 外存储器中，磁存储技术发展迅速，形成了巨大的产业。磁存储介质的主要形式是磁带、软磁盘、硬磁盘。存储密度每5年增加10倍。 磁带机的容量及数据率发展 硬磁盘技术的进展 信息存储技术与