TFT-LCD阵列工艺的培训.ppt

TFT-LCD阵列工艺介绍 主要内容 一、TFT-LCD的基本构造 二、 ARRAY工艺简介 三、 阵列检查介绍 一、TFT-LCD的基本构造 图1 TFT-LCD液晶显示屏的构造 图2 液晶盒的构造 一、TFT-LCD的基本构造 二、ARRAY工艺介绍 2.1 阵列基板的构造和功能 2.2 阵列基板的制造原理 2.3 阵列基板的制造工艺流程 2.1 阵列基板的构造和功能 图3 ARRAY基板等效电路图 图4 Array面板信号传输说明 2.1 阵列基板的构造和功能 2.1 阵列基板的构造和功能 图5 ARRAY基板的构造 DRAIN端子 TFT部分 栅极（GATE） 漏极（DRAIN） 源极（SOURCE) 图6 TFT器件的基本构造 GATE G-SiNx a-Si n+ a-Si DRAIN SOURCE P-SiNx ITO像素电极 GLASS 接触孔 G工程 I 工程 D工程 C工程 PI工程 2.1 阵列基板的构造和功能 当Vg≤Vth时 Ids=0 当VgVth且VdsVg-Vth时 Ids=(W/L)•μC0{(Vg-Vth)Vds-Vds2/2} 当VgVth且VdsVg-Vth时 Ids=(W/L)•μC0(Vg-Vth)2/2 式中，Vth:阈值电压 μ：电子迁移率 C0: 单位面积栅绝缘层电容 Vg Vd Vs Ids 2.1 阵列基板的构造和功能 2.2 阵列基板的制造原理 ARRAY工程由成膜工程、PR工程和刻蚀工程反复进行4次或5次完成。 4次：4MASK工艺 5次：5MASK工艺 图7 TFT的制造原理 工艺名称 工艺目的 溅射（SPUTTER) 成Al膜、Cr膜和ITO膜 P-CVD 成a-Si膜、n+a-Si膜和SiNx膜 PR•曝光 形成光刻胶图案 湿刻（WE) 刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜 干刻（DE) 刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜 剥离 去掉残余的光刻胶 2.2 阵列基板的制造原理 表1 阵列各工程的说明 所谓Sputter是指利用借助电场加速的气体离子对靶材的轰击，从而使成膜材料从靶材转移到基板上的一种物理成膜方法。 SPUTTER原理 2.2 阵列基板的制造原理 PCVD原理 ①电子和反映气体分子碰撞，产生大量的活性基； ②活性基被吸附在基板上，或取代基板表面的H原子； ③被吸附的原子在自身动能和基板温度的作用下，在基板表面迁移，选择能量最低的点安定； ④同时，基板上的原子不断脱离周围原子的束缚，进入等离子体气氛中，所以达到动态的平衡； ⑤不断的补充原料气体，使原子沉积速度大于原子逃逸速度，薄膜持续生长。 2.2 阵列基板的制造原理 图9 PCVD成膜示意图 PR•曝光原理 2.2 阵列基板的制造原理 图10 PR工程示意图 曝光原理 2.2 阵列基板的制造原理 图11 曝光原理示意图 湿刻原理 ■湿刻是通过对象材料（一般为金属导电膜）与刻蚀液之间的化学反应，对对象材料进行刻蚀的过程。 ■湿刻的过程 刻蚀液在对象物质表面的移送阶段 刻蚀过程中，刻蚀液不断被消耗，反应生成物不断生成，刻蚀对象周围形成浓度梯度，促使新的刻蚀液不断向刻蚀对象输送，并将反应生成物从其表面除去，从而使新的刻蚀液与对象物质接触。 刻蚀液与对象物质的化学反应阶段 指的是在对象物质表面，药液与刻蚀对象之间的化学反应过程。 2.2 阵列基板的制造原理 图12 湿刻装置及原理示意图 反应气体在高频电场作用下发生等离子体（PLASMA）放电。 等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。 ETCHING GAS PLASMA 干刻原理 2.2 阵列基板的制造原理 图13 干刻原理示意图 剥离原理：刻蚀（干刻、湿刻）完 成后除去光刻胶的过程。 2.2 阵列基板的制造原理 图14 剥离原理示意图 4mask G-SP G-PR G-WE G-PR剥离 1st SiN CVD 三层CVD D-SP DI-PR D1-WE I/PR DE D2-WE CH-DE DI-PR剥离 PA-CVD C-PR C-DE C-PR剥离 PI-SP PI-PR PI-WE PI-PR剥离 G-SP G-PR G-WE G-PR剥离 1st SiN-CVD 三层CVD I-PR I-DE I-PR剥离 D-SP D-PR D-WE PA-CVD C-PR C-DE C-PR剥离 PI-SP PI-PR PI-WE PI-PR剥离 CH-DE D-PR剥离 5mask 图15 4mask和5mask工艺流程图 2.3 阵列基板的制造工艺流程 三、阵