GB/T 11499-2001半导体分立器件文字符号.pdf

ICS 31. 080- 01 ____ ”______ (@B 中华人民共和国国家标准 GB/T 11499 — 2001 半导体分立器件文字符号 Letter symbols for discrete semiconductor devices 2001 - 11 - 05 发布 2002-06-01 实施 當家篇星免&盃佥謹恵胃发布 GB/T 11499—2001 目 次 前言m 1 范围1 2 总则1 3 整流二极管8 4信号二极管(包括开关二极管)和调整二极管 10 5射频二极管13 6 光电子器件19 7 闸流晶体管24 8双极晶体管28 9 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 33 10 场效应晶体管34 11其他半导体器件 38 I GB/T 11499—2001 ."台 、亠 刖 吕 本标准参照了下列国际标准的有关文字符号的内容，对GB/T 11499— 1989进行修订: IEC 60747半导体器件分立器件和集成电路 IEC 60747-1:1983 第1部分总则 IEC 60747-1:1991 第一次补充 IEC 60747-1:1993 第二次补充 IEC 60747-1:1996 第三次补充 IEC 60747-2:2000 第2部分整流二极管 IEC 60747-3:1985 第3部分信号二极管（包括开关二极管）和调整二极管 IEC 60747-3:1991 第一次补充 IEC 60747-3:1993 第二次补充 IEC 60747-4:1991 第4部分 微波器件 IEC 60747-4:1993 第一次补充 IEC 60747-4:1999 第二次补充 IEC 60747-5:1992 第5部分光电子器件 IEC 60747-5:1994 第一次补充 IEC 60747-5:1995 第二次补充 IEC 60747-6:1983 第6部分闸流晶体管 IEC 60747-6:1991 第一次补充 IEC 60747-6:1994 第二次补充 IEC 60747-7:1988 第7部分双极晶体管 IEC 60747-7:1991 第一次补充 IEC 60747-7:1994 第二次补充 IEC 60747-8:1984 第8部分场效应晶体管 IEC 60747-8:1991 第一次补充 IEC 60747-8:1993 第二次补充 IEC 60747-9:1998 第9部分绝缘栅双极晶体管 本标准与原标准的主要差别是： ——原标准全文中 “功率耗散”都改为 “耗散功率”； ——修改了原标准中“2. 1. 1. 2大写基本字母”； —修改了原标准中“2. 1. 3电流、电压和功率文字符号规则汇总表”; ——修改了原标准中“2. 3其他量的文字符号”； ——修改了原标准中“2. 4其他参数” 中的部分内容； ——删除了原标准中“6. 2. 2. 2其他” 中的部分内