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霍尔片的几何尺寸对电场和霍尔电压有影响，电流控制电极对霍尔电压存在短路作用。另外，几何形状也影响了霍尔电压和内阻的大小。 6 磁敏二极管 6.2磁敏二极管的特性参数 伏安特性 磁灵敏度 （1）电压相对磁灵敏度SV 测试条件为: B=±0.1T，I=3mA。 磁电特性 6 磁敏二极管 磁灵敏度 （2）电流相对磁灵敏度SI 测试条件: B=±0.1T，锗磁敏二极管偏压 V=6V，硅磁敏二极管偏压V=8V。 （3）实用测试方法 测试条件一般为E=9V，RL=2kΩ 当RL→∞时相当于恒流源条件下测试的电压相对灵敏度，即 同理，当RL→0时，相当于恒压源条件下电流相对灵敏度，即 温度特性 6 磁敏二极管 包括伏安特性、零磁场输出电压V0和电压磁灵敏度随温度变化而变化的特性。 磁敏二极管的温度补偿 选择2只或4只特性接近的管子，按互为相反的磁敏感性进行组合。 磁敏二极管温度补偿电路 用磁敏二极管组成的差动位移传感器 6.3 磁敏二极管的应用 6 磁敏二极管 7 磁敏三极管 按材料分硅磁敏三极管和锗磁敏三极管 按结构分为NPN型和PNP型磁敏三极管 7.1结构和符号 NPN磁敏三极管基本结构和电路符号 7.2 工作原理 三极管的磁敏效应是由集电极电流IC 的变化来反映。 基区大于载流子有效扩散长度，大部分在基区与基极注入空穴复合形成基极电流Ib。 （A） B=0 基区复合部分减少，使集电极电流明显增大。 （B） B+ 增大了基区复合部分，集电极电流明显下降。 （C） B- 7.3磁敏三极管的特性参数 （1）伏安特性 7 磁敏三极管 B/0.1T ΔIc/mA 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 1 5 2 3 4 -1 -2 -3 3BCM磁敏三极管磁电特性 在弱磁场作用时，曲线近似于一条直线。 （2）磁电特性 磁敏三极管伏安特性 （4）温度特性 7 磁敏三极管 （3）磁灵敏度 负温度系数 正温度系数 7 磁敏三极管 7.4磁敏三极管的温度补偿技术 磁敏三极管的集电极电流IC 和磁灵敏度SB都随温度的变化而变化，要使之稳定地工作，必须进行温度补偿。 磁敏三极管的温度补偿电路 锗磁敏三极管的温度补偿电路 沈 阳 工 业 大 学 * * 半导体磁敏元件及传感器 本次课内容 1.半导体的磁敏效应 2. 霍尔元件 3 霍尔元件的应用 4 磁阻元件 5 磁阻元件的应用 6 磁敏二极管 7 磁敏三极管 8 磁敏集成电路 1.半导体的磁敏效应 1.1霍尔效应 半导体的磁敏效应是指半导体在电场和磁场作用下表现出来的霍尔效应、磁阻效应、热磁效应和光磁电效应等。 洛仑兹力: 电场力: 当达到动态平衡时 RH—霍耳系数，由载流材料物理性质决定; 1.半导体的磁敏效应 1.2 霍尔系数 金属材料：电子μ很高，但ρ很小； 绝缘材料：ρ很高，但μ很小； 为获得较强霍耳效应，霍耳片大多采用半导体材料制成；由于电子迁移率比空穴大，一般采用N型材料。 设 KH=RH / d KH—乘积灵敏度。与载流材料的物理性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单位控制电流时霍耳电势的大小。 VH＝ KH I B 若B方向与霍耳器件平面法线夹角为θ时，霍耳电势为： VH＝ KH I B cosθ 注：当控制电流的方向或磁场方向改变时，输出霍耳电势的方向也改变。但当磁场与电流同时改变方向时，霍耳电势并不改变方向。 A，B 为控制电流端子，C，D 为霍尔电压输出端子，称这种结构为霍尔片，在霍尔片上焊引出线，外面封装上非磁性金属、陶瓷或环氧树脂等外壳即成为霍尔元件，在C、D 两输出端子输出霍尔电压。 2 霍尔元件 2.1霍尔元件结构 2.2 霍尔角 霍尔元件电场E 和电流密度Jn不在同一方向，它们间夹角θH称为霍尔角 tanθH=Ey/Ex 2.3霍尔元件驱动方式 2 霍尔元件 VH=RHICB/d 恒流驱动： VH=(W/L)VinμnB 恒压驱动： 2.4 形状系数 VH（x=0）= VH（x=L）=0 VH=（RHICB/d）f(L/W, θH) 考虑影响后改写为： f(L/W, θH)称为形状效应系数 霍尔元件时通常选择L/W＞2。 2.5 制造工艺 2 霍尔元件 分立元件型和集成电路型 在分立元件型中，由于材料和制造工艺的不同，分为单晶型和薄膜型。 单晶型霍尔元件工艺 硅、锗、砷化镓和锑化铟等 材料： 氧化、腐蚀、光刻、扩散、制作电极、焊接引线、涂保护层、中测和封装等。 高阻率的单晶，直接制作欧姆接触良好的电极比较困难。采用多种金属合金