第二章 薄膜的物理气相沉积.pptxVIP

第二章 薄膜的物理气相沉积（Ⅰ）-蒸发法;本章内容; 一、定义 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition， PVD ） 利用某种物理过程，如物质的热蒸发或受到离子轰击时物质表面原子的溅射现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。;蒸发法：把装有基片的真空室抽成真空，使气体压强达到10-2Pa以下，然后加热镀料，使其原子或分子从表面逸出，形成蒸汽流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜。具有较高的沉积速率、相对较高的真空度，以及由此导致的较高的薄膜纯度等优点。 溅射法：具有自己的特点，如在沉积多元合金薄膜时化学成分容易控制、沉积层对沉底的附着力较好。;第一节 物质的热蒸发;;（1）元素的蒸发速率 --- 蒸发现象： ? 蒸发与温度有关，但不完全受熔体表面的受热多少所决定； ? 蒸发速率正比于物质的平衡蒸气压(Pe)与实际蒸气压力(Ph)之差； --- 蒸发速率（两种表达）： ? 元素的净蒸发速率：在一定的温度下，处于液态或固态的元素都具有一定的平衡蒸汽压。因此，当环境中的分压降低到了其平衡蒸汽压之下时，就会发生元素的净蒸发。;其中α蒸发系数(0~1)，Pe—元素的平衡蒸汽压，Ph—元素的实际分压； ? 最大蒸发速率(分子/cm2s)： α＝1， Ph= 0;影响蒸发速率的因素： 由于元素的平衡蒸汽压随着温度的上升增加很快，因而对元素的蒸发速率影响最大的因素是蒸发源所处的温度。;（2）元素的平衡蒸气压 --- 元素的蒸气压： ?Clausius-Clapyeron(克劳修斯-克莱普朗）方程;元素蒸气压的近似表达式： I是积分常数，B是一个系数 ΔH≈ΔHe 在一定的温度区间内严格成立;;;? 蒸发源的选择： – 固体源：熔点以下的饱和蒸气压可以达到0.1Pa; – 液体源：熔点以下的饱和蒸气压难以达到0.1Pa; – 难熔材料：可以采用激光、电弧蒸发；;;;1、化合物的蒸发 化合物蒸发中存在的问题： a）蒸发出来的蒸气可能具有完全不同于其固态或液体的成分；（蒸气组分变化） b）气态状态下，还可能发生化合物个组员间的化合与分解过程；后果是沉积后得到的薄膜成分可能偏离化合物的正确的化学组成。 化合物蒸发过程中可能发生的各种物理化学反应： 无分解反应；固态分解反应；气态分解蒸发;2、合金的蒸发;;;;;;;;;;;;;;蒸发法沉积薄膜时，真空度较高，被蒸发的原子处于分子流状态，因此沉积过程中遇到障碍物的时候有阴影效应 结果导致蒸发的物质被障碍物遮挡而不能沉积到衬底上，破坏薄膜的均匀性 衬底表面不平，或有较大的表面浮突，薄膜沉积受到蒸发源方向的限制，造成某些部位不能沉积;;假设运动至衬底处的O2分子均被沉积在薄膜之中; 利用物质在高温下的蒸发现象，可以制备各种薄膜。真空蒸发法所采用的设备根据其使用目的，可能有很大差别，从最简单的电阻加热蒸镀装置到极为复杂的分子束外延设备，都属于真空蒸发沉积装置的范畴。显而易见，在蒸发沉积装置中，最重要的组成部分就是物质的蒸发源。 根据其加热原理，可以分为以下几种。;; 利用大电流通过一个连接着靶材材料的电阻器，将产生非常高的温度，利用这个高温来加热靶材材料。 通常使用钨W(Tm=3380℃), 钽Ta(Tm=2980℃), 钼Mo(Tm=2630℃) ，高熔点又能产生高热的金属，做成电阻器。 ;电阻器可以依被镀物工件形状、摆放方式、位置、腔体大小、旋转方式而作成不同的形状。以便使靶材的蒸发分布均匀，沉积的薄膜厚度均匀。 细丝状的金属靶材(Al, Ag, Au, Cr...)是最早被热蒸镀使用的靶材形式，后来发展出舟状，篮状等。;注意： 避免被蒸发物质与加热材料之间发生化学反应的可能性，可以考虑使用表面涂有一层Al2O3的加热体。 防止被加热物质的放气过程可能引起的物质飞溅 加热方式： 对被蒸发的物质可以采取两种方法，即普通的电阻加热法和高频感应法。前者依靠缠于坩锅外的电阻丝实现加热，而后者依靠感应线圈在被加热的物质中或在坩锅中产生出感应电流来实现对蒸发物质的加热。在后者情况下，需要被加热的物质或坩锅本身具有一定的导电性。;优点:1.电阻式蒸镀机设备价格便宜,构造简单容易维护。2.靶材做成各种的形状。 缺点:1. 有些微的污染,造成蒸发膜层纯度稍差，伤害膜层的质量 2. 适合金属材料的靶材，光学镀膜常用的介电质材料大部分都无法使用电阻式加温来蒸发。3. 蒸镀的速率比较慢,且不易控制。4. 化合物的靶材,可能会因为高温而被分解 5. 电阻式蒸镀的膜层硬度比较差,密度比较低。;电子束蒸发装置克服了电阻加热法的不足，在电子束加热装置中，被加热的物质被放置于水冷的坩埚中，电子束只轰击到其中很少的一部分物质，其余大部分