第二章半导体器件工艺学之硅片制备.pptVIP

第二章 半导体材料 §2-1晶体结构 §2-2晶向与晶面 §2-3晶体缺陷 §2-4单晶硅制备 §2-5硅片加工 §2-1晶体结构 一、非晶材料和晶体材料（原子级别上） 非晶材料（无定形）： 杂乱无章的结构 晶体材料： 有序，规则 从宏观上看：规则的几何外形，固定的熔 点，解理性，各向异性 二、晶体材料 晶胞： 晶体结构中最简单，最基本的单元 用晶胞来描述晶体结构 晶胞排列方式：多晶和单晶 非晶材料（无定形） 晶胞 §2-2 晶向和晶面 晶向决定了硅片中晶体结构的物理排列 不同晶向的硅片的化学，电学，机械性质不同，影响工艺制造和器件性能 密勒指数 晶向指数 常用晶面的密勒指数 §2-3晶体缺陷 理想的晶体：完美的结构 实际的晶体：有缺陷 缺陷：点缺陷 线缺陷 面缺陷 体缺陷 硅中的晶体缺陷会产生于晶体生长和后面硅锭和硅片加工中 1.点缺陷 原子尺寸上的局部缺陷，会造成晶格畸变 2.线缺陷 刃形位错 螺形位错 3.面缺陷：层错 面缺陷是二维缺陷 原子层错排 §2-4单晶硅制备 一、半导体级硅 加热含碳的硅石来制备冶金级硅 SiO2+C → Si+CO2 沙子 MGS