GB/T 4937.19-2018半导体器件　机械和气候试验方法　第19部分：芯片剪切强度.pdf

I臼 31.080.01 L 40 道昌 中华人民共和国国家标准 GB/ T 4937. 19-2018/ IEC 60749-19 :2010 半导体器件 机械和气候试验方法 第 19 部分：芯片剪切强度 Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods一 Part 19 :Die shear strength (IEC 60749- 19:2010, IDT) 2019-01-01 实施 2018-09-17 发布 国家市场监督管理总局也士 中国国家标准化管理委员会~ llJ GB/T 4937 .19-2018/ IEC 60749-19:2010 前 GB/ T 4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成t 一一第 1 部分g 总则z 一一第 2 部分：低气压； 一一第3 部分＝外部目：栓； 一一第 4 部分：强加速稳态湿热试验（HAST); 一一第 5 部分：稳态温湿度偏置寿命试验s 一一第 6 部分z 高温贮存； 一一第 7 部分z 内部水汽含量测试和其他残余气体分析； 一一第8 部分2密封E 一一第9 部分＝标志耐久性s 一一第 10 部分g 机械冲击； 一一第 11 部分z 快速温度变化双液槽法： 一一第 12 部分：扫频振动z 一一第 13 部分g 盐雾； 一一第 14 部分：引出端强度（引线牢固性） I 一一第 1 5 部分：通孔安装器件的耐焊接热； 一一第 16 部分：粒子碰撞噪声检测（PIND), 一一第 17 部分t 中子辐照； 一一第 18 部分g 电离辐射〈总剂量h 一一第 19 部分：芯片剪切强度； 一一第20 部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响； 一一第20-1 部分g 对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输z 一一第21 部分z 可焊性； 一一第22 部分：键合强度； 一一第 23 部分z 高温工作寿命； 一一第 24 部分：加速耐湿 无偏置强加速应力试验（HSAT); 一一第 25 部分z 温度循环； 一一第 26 部分：静电放电（ESD）敏感度试验人体模型（HBM) 1 一一第 27 部分z 静电放电（ESD）敏感度试验机械模型（MM); 一一第 28 部分：静电放电＜ESD)敏感度试验带电器件模型＜CDM) 器件级； 一一第 29 部分：同锁试验； 一一第 30 部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理z 一一－第 31 部分：塑封器件的易燃性〈内部引起的h 一一第 32 部分：塑封器件的易燃性〈外部引起的）; 一一第 33 部分g 加速耐湿 无偏置高压蒸煮z 一一第 34 部分：功率循环s 一一第 35 部分g 塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查； 一一第 36 部分z 恒定加速度； I GB/T 4937.19-20 18/IEC 60749- 19 :201 0 一一第 37 部分：采用加速度计的板级跌落试验方法z 一一第 38 部分2 半导体存储器件的软错误试验方法； 一一第 39 部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量s 一一第 40 部分z 采用张力仪的板级跌落试验方法： 一一第 41 部分：非易失性存储器件的可靠性试验方法s 一一第42 部分2 温度和湿度贮存； 一一第43 部分： 集成电路(IC） 可靠性鉴定方案指南s 一一第44 部分：半导体嚣件的中子柬辐照单粒子效应试验方法． 本部分为GB/T 493