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Cha.11 光电式传感器 1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应,并为此而获得1921年诺贝尔物理学奖。 紫外管外形 当入射紫外线照射在紫外管阴极板上时,电子克服金属表面对它的束缚而逸出金属表面,形成电子发射。紫外管多用于紫外线测量、火焰监测等。 光敏电阻 当光敏电阻受到光照时,阻值减小。 光敏二极管的反向偏置接线(参考上页图)及光电特性演示 在没有光照时,由于二极管反向偏置,反向电流(暗电流)很小。 光敏三极管外形 光电池外形 能提供较大电流的大面积光电池外形 5. CCD和CMOS CCD全称电荷耦合器件,它具备光电转换、信息存贮和传输等功能,具有集成度高、功耗小、分辨力高、动态范围大等优点。 CCD图像传感器被广泛应用于生活、天文、医疗、电视、传真、通信以及工业检测和自动控制系统。 CMOS图像传感器是采用互补金属-氧化物-半导体工艺制作的另一类图像传感器,简称CMOS。现在市售的视频摄像头多使用CMOS作为光电转换器件。虽然目前的CMOS图像传感器成像质量比CCD略低,但CMOS具有体积小、耗电量小、售价便宜的优点。随着硅晶圆加工技术的进步,CMOS的各项技术指标有望超过CCD。 CCD的基本工作原理 一个完整的CCD器件由光敏元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。 CCD工作时,在设定的积分时间内,光敏元对光信号进行取样,将光的强弱转换为各光敏元的电荷量。取样结束后,各光敏元的电荷在转移栅信号驱动下,转移到CCD内部的移位寄存器相应单元中。移位寄存器在驱动时钟的作用下,将信号电荷顺次转移到输出端。输出信号可接到示波器、图象显示器或其他信号存储、处理设备中,可对信号再现或进行存储处理。 CCD图像传感器的分类 线阵CCD外形 用途:光谱分析、测径、测量微小位移 面阵CCD 面阵CCD能在x、y两个方向都能实现电子自扫描,可以获得二维图像。 主要用于摄像、图像处理、数据存储和机器人视觉等领域 200万和1600万像素的面阵CCD 面阵CCD外形(续) CCD图像传感器的应用 线阵CCD在扫描仪中的应用 CCD用于图像记录 CCD数码显微镜拍摄的金属表面显微照片 CMOS视频摄像头 烟雾报警器外形 (参考南京千里通公司 无线烟雾报警器资料) 无烟雾时,光敏元件接收到LED发射的恒定红外光。而在火灾发生时,烟雾进入检测室,遮挡了部分红外光,使光敏三极管的输出信号减弱,经阀值判断电路后,发出报警信号。 无线烟雾报警器内部结构 可发出高分贝笛鸣声的蜂鸣器 光电开关在流水线上的应用 光幕 两个柱形结构相对而立,每隔数十毫米安装一对发光二极管和光敏接收管,形成光幕,当有物体遮挡住光线时,传感器发出报警信号。 光幕应用 光幕应用(续) 光幕应用(续) 光幕应用(续) 光电断续器的应用 光幕用于 自动收费系统的车辆检测 锻压机床的 安全区域设置及入侵报警 * 工作原理: 被测光信号及其相关物理量-----?电(参)量变化 -?电压(流) 光电效应 光电式传感器是以光电效应为基础,将光信号转换成电信号的传感器。 特点:反应速度快,能实现非接触测量,而且精度高、分辨力高、可靠性好,加之半导体光敏器件具有体积小、重量轻、功耗低、便于集成等优点。 广泛应用于军事、宇航、通信、检测与工业自动控制等各个领域中。 一、光电效应及光电器件 光电效应一般分为外光电效应、光电导效应和光生伏特效应三类。后两类又称为内光电效应,根据这些效应可制成不同的光电转换器件(或称光敏元件)。 外光电效应:在光线作用下,物质内的电子逸出物体表面而向外发射的现象,通常所说的光电效应是指外光电效应。 内光电效应:物体受光照射后,其内部的原子释放出电子并不逸出物体表面,而仍留在内部,使物体的电阻率发生变化或产生光电动势的现象称为内光电效应。前者称为光电导效应,后者称为光生伏特效应。 紫外线 基于外光电效应的光电器件属于光电发射型器件,有光电管、光电倍增管等。光电管有真空光电管和充气光电管。 1.光敏电阻 光敏电阻是一种用光电导材料制成的没有极性的光电元件,也称光导管。它基于半导体光电导效应工作。由于光敏电阻没有极性,工作时可加直流偏压或交流电压。当无光照时,光敏电阻的阻值(暗电阻)很大。电路中电流很小。当它受到一定波长范围的光照射时,其阻值(亮电阻)急剧减小,电路中电流迅速增加,用电流表可以测量出电流。根据电流值的变化,即可推算出照射光强的大小。 基于内光电效应的光电器件又分为基于光电导效应的器件(光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管)和基于光伏效应的 器件(光电池)。 2.光敏二极管 半导体光敏二极管与普通二极管
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