应用于大功率器件封装的 新型焊接材料纳米银膜.pdfVIP

技术特写 Tech Feature 应用于大功率器件封装的 新型焊接材料纳米银膜 何天贤 李志豪 （广州汉源新材料股份有限公司） 摘要：本文设计制备了一种新型的焊接材料——纳米银膜，其结构不同于以往纳米银焊膏的形式，为预成 型片状，可韧性弯曲和自由剪裁。纳米银膜的含银量在80% 左右，所选用的纳米银粉平均粒径为20 nm，其余 组成部分是含有不同功能团的有机物质。采用0.1 mm 厚的纳米银膜模拟绝缘栅双极晶体管（IGBT）焊接实验， 在280 ℃温度和10 MPa 压力下真空保温30 min，烧结接头取得216 W/mK 的导热系数和53 MPa 的剪切强度。 研究结果进一步表明，纳米银膜能够直接焊接在无镀层处理的氧化铝陶瓷覆铜（direct bonding copper, DBC） 基板上，且致密性良好，空洞率极低。我们的研究表明，纳米银膜具有低温烧结、高热导率和残渣率低的特点； 纳米银膜能够有效替代传统合金焊料应用于功率半导体封装中。 引言 封装互连过程中可以避免重熔现象的 使用方便性，尤其适用于电子封装领 焊料是电子产品组装过程中不 发生。尽管块体银的熔点比较高（961 域中作为IGBT 功率型芯片互连的新 可或缺的重要组成部分，它能够将器 ℃），但纳米银烧结技术为银的低温 型焊接材料[11~13]。本文主要研究了纳 件的各部分功能有效地连接在一起。 烧结、高温服役提供了解决方案。由 米银膜的制备和相关性能表征以及在 随着电子技术向着高功率、高密度和 于纳米尺寸效应，纳米银颗粒的熔点 IGBT 模块焊接中的模拟应用。 集成化的方向发展，对于大功率器件 和烧结温度远低于块体银，表面熔化 的封装，例如IGBT ，也相应地对焊 的纳米银颗粒通过液相毛细力的作用 1. 实验过程 接材料提出了更高、更全面的可靠性 彼此润湿和扩散，最终结合成具有与 1.1 材料和方法 需求[1]。IGBT 作为新一代的功率半 块体银相似熔点的烧结体[8]。因此， 本文中所使用的纳米银粉来源 导体器件，已被广泛应用于高铁、新 纳米银颗粒可以在大功率器件封装中 于广州汉源新材料股份有限公司，纯 能源、电动汽车以及智能电网等各个 作为合金焊料的替代材料[9]。 度在99.9% 以上。银纳米颗粒的平均 领域。传统的IGBT 模块焊接是采用 目前，纳米银颗粒在功率半导 直径为20 nm ，表面含氧量极低。纳 Sn-Pb、Sn-Pb-Ag 等合金焊料来完成 体封装中的应用主要有两种模式[10] ： 米银膜的组成除了有纳米银粉外，还 的，这类焊料熔点低、导热性差，且 一种是直接把纳米银焊膏印刷在需要 有粘结剂、增塑剂、分散剂等有机化 对人体和环境有害，已逐渐不能满足 连接的基板上，然后把芯片放上去进 合物，所有有机试剂采购自广州泽明 高功率电子器件的封装及其高温应用 行无压/ 有压烧结连接；另一种是先 科技发展有限公司。纳米银膜中纳米 要求[2]。因此，研究和开发能够应用 把纳米银焊膏涂覆在较大的芯片上， 银的质量分数控制在80% 左右。纳 于高温高功率封装的具有高热导率和 等干燥后将已涂覆焊膏的芯片切割成 米银膜的制备过程首先是将所有化学 良好综合性能的新型热界面互连材料 所需大小，然后再把芯片和基板粘 原料用乙醇完全溶解，然后倒入纳 [3] 就显得尤为重要 。 接起来进行压力烧结。这两种应用模 米银粉搅拌均匀，经真空脱泡后把 金属银是一种很有前途的电子 式本质上使用的都是纳米银的膏状形 配制而成的浆料倒在载带流延机上 组装材料[4~7]。因为银具有很高的导 态，而不是预成型片状。纳米银膜作 流延成膜，待干燥过后撕下来即成 热系数（429 W/mK）和极佳的电性 为一种无铅的预成型焊接薄膜，它不 为可卷带包装和自由裁切的柔性纳 能（63 MS/m），使得它可以满足高功 但克服了传统合金