宽带隙半导体材料与紫外光探测器.pptVIP

宽禁带半导体材料紫外光探测器 随着科技发展，紫外侦测技术越来越多的在军事、工业、民用等方面得到愈发广泛的应用 引入 军事上，导弹预警、制导、紫外通讯、生化分析等方面都有紫外探测的需求 引入 在民用上，明火探测、生物医药分析、臭氧检测、海上油监、太阳照度检测、公安侦查等 引入 光探测器的原理： 采用对光敏感的器件作传感器，检测入射的光功率并把其变化转化为相应的电流。一般要满足四点要求 （1）在系统工作要求的波长区域范围内，有高的量子效率； （2）响应速度快； （3）具有好的线性输入-输出性质； （4）能在需要的环境下可靠的工作 引入 紫外光的侦测(200～400nm) 由于臭氧等气体对紫外线的强烈吸收，λ280nm的紫外线无法穿过大气层，故200~280nm的紫外称为日盲（Solar Blind）紫外 引入 UVA 320nm 400nm UVB 290nm 320nm UVC 200nm 290nm 汇报内容 紫外敏感材料——宽禁带半导体 1.半导体及其带隙 2.宽禁带材料的特点 3.具有宽禁带的半导体材料 准一维纳米材料的合成 1.合成方法总述 2.气相合成 紫外光探测器 1.发展现状 2.薄膜探测器 3.纳米探测器 半导体及其带隙 半导体（Semiconductor），常温或高温下导电性能介于导体与绝缘体间，其电阻率强烈依赖于温度 半导体材料可分为三类： 半导体及其带隙 P型半导体原子结构示意图 半导体及其带隙 N型半导体原子结构示意图 半导体及其带隙 半导体的发展 半导体及其带隙 与带隙相关的半导体物理 能级 能带 孤立原子中核外电子按一定壳层排列，每个壳层上的电子具有分立的能量值（能级）；大量原子集合在一起，电子共有化，电子的能量值不再单一而有一个波动范围（能带） 半导体及其带隙 对于半导体，所有价电子所处的能带为价带（Valance Band，Ev），比价带能量更高的能带是导带（Conduction Band，Ec） 禁带（Forbidden Band/Band Gap） Ec与Ev之间的能量间隔，其大小决定材料导电性能的强弱，若过大则为绝缘体 半导体及其带隙 块体材料与纳米材料在带宽上的差异： 对同一种材料而言，其纳米结构的带隙相比块体状态要更宽，展宽量与颗粒的尺寸成反比。其宏观表现为：随纳米颗粒尺寸的减小，吸收带边发生蓝移 半导体及其带隙 本征半导体的导电 0 K 下半导体价带填满，导带全空，此时为绝缘体 升温，电子由价带被热激发到导带，此时可导电 半导体及其带隙 影响本征电导率的主要因素（载流子浓度） 带隙 Eg ：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难 温度 T ：温度越高，被激发到导带的电子浓度就越大 宽带隙半导体即带隙大（ Eg 2.3eV）的半导体 半导体及其带隙 汇报内容 紫外敏感材料——宽禁带半导体 1.半导体及其带隙 2.宽禁带材料的特点 3.具有宽禁带的半导体材料 准一维纳米材料的合成 1.合成方法总述 2.气相合成 紫外光探测器 1.发展现状 2.薄膜探测器 3.纳米探测器 宽禁带材料的特点 禁带宽度大 热导率很高 击穿电场高 电子饱和漂移速率大 化学稳定性好 抗辐射能力极佳 由上述特点，非常适于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件 此外，其较宽的带隙对蓝绿光或紫外光非常敏感，可据此制作相应的发光器件及光探测器，汇报选题即由此而来 宽禁带材料的特点 汇报内容 紫外敏感材料——宽禁带半导体 1.半导体及其带隙 2.宽禁带材料的特点 3.具有宽禁带的半导体材料 准一维纳米材料的合成 1.合成方法总述 2.气相合成 紫外光探测器 1.发展现状 2.薄膜探测器 3.纳米探测器 具有宽禁带的半导体材料 Eg2.3eV的半导体材料均可称作宽禁带半导体材料 根据已有的研究，宽禁带半导体材料主要集中在金刚石，III族氮化物，碳化硅，立方氮化硼以及氧化物（如ZnO，Ti O2等）和固溶体等 半导体材料 禁带类型 禁带宽度Eg/eV GaN 直接 3.39 ZnO 直接 3.37 TiO2 间接 金红石3.0，锐钛矿3.2 C-BN 间接 6.4 金刚石 间接 5.47 AlN 直接 6.2 SiC 间接 4H-SiC3.23，6H-SiC3.0 Ga2O3（高温） 直接 4.8~5.1 具有宽禁带的半导体材料 汇报内容 紫外敏感材料——宽禁带半导体