巨磁阻效应试验.DOC

PAGE PAGE 59 巨磁阻效应实验 一、概 述 巨磁电阻（GMR）效应是1988年发现的一种磁致电阻效应，由于相对于传统的磁电阻效应大一个数量级以上，因此名为巨磁电阻(GiantMagnetoresistanc)，简称GMR。磁电子学是一门以研究介观尺度范围内自旋极化电子的输运特性以及基于它的这些独特性质而设计、开发的在新的机理下工作的电子器件为主要内容的一门交叉学科。它研究的对象包括载流电子的自旋极化、自旋相关散射、自旋弛豫以及与此相关的性质及其应用等。对巨磁电阻效应的研究就是磁电子学的一个重要内容。磁场作用于磁性多层膜中导电电子的自旋，导致膜电阻发生很大的变化。这种变化可以通过测量电阻或以电压方式反映出来。根据这种特点可以在许多领域得到应用。到目前磁电子学的研究仍在世界范围轰轰烈烈地进行，它的应用已发展到计算机磁头、巨磁电阻传感器、磁随机存贮器等许多领域，鉴于磁电子学技术的新颖性和复杂性，对于磁电子学的研究仍在持续不断地进行。 本实验仪器采用新型巨磁阻传感器，可在微弱磁场中发生巨磁阻效应，操作简单，使用安全，方便，帮助同学们从实验现象和数据中，了解巨磁阻效应的原理和应用，掌握巨磁阻传感器的原理和应用。 二、实验目的 1 了解巨磁阻效应原理，掌握巨磁阻传感器原理及其特性。 2 学习巨磁阻传感器的定标方法，用巨磁阻传感器测量弱磁场。 3 了解巨磁阻传感器敏