场效应管及其放大电路之辅导篇.DOC

PAGE PAGE 1 场效应管及其放大电路之辅导篇 一、基本要求 1、了解场效应管的结构，理解其工作原理； 2、掌握场效应管的符号、伏安特性、工作特点与主要参数； 3、掌握场效应管放大电路的分析方法。 二、学习指导 重点：场效应管的符号、特性曲线、工作电压极性、主要参数、小信号模型。 难点： 1、主要参数 （1）JFET和耗尽型MOSFET： 饱和漏极电流IDSS，（VGS=0时的漏极电流）； 夹断电压VP（当VGS=VP时，ID＝0）。 （2）增强型MOSFET： 开启电压VT（当VGSVT时，导电沟道才形成，此时ID≠0）； （3）输入电阻RGS： 对JFET，RGS在107～1012Ω；对于MOSFET，RGS在1010～1015Ω。 通常认为RGS→∞。 （4）低频跨导gm: 其大小反映了栅源电压VGS对漏极电流ID的控制能力的强弱。可以从转移特性或输出特性中求得，也可以用公式计算出来，单位是mS（毫西门子）。 （5）极限参数： 2、场效应管与晶体管的应用场合 （1）场效应管是电压控制器件，栅极电流iG≈0, 晶体管是电流控制器件，基极电流iB≠0。晶体管的电流iC与发射结电压uBE成指数关系，而场效应管的漏极电流与栅源电压成平方关系。显然，晶体管的跨导比场效应管的跨导要大得多，选用晶体管进行放大可以得到比场效应管更高的电压放大倍数。 （2）场效应管具有输入电阻高的特点，它适用于作为多级放大电路的输入级，尤其对高内阻信号源，采用场效应管能有效地放大。 （3）场效应管是利用多子导电，而晶体管是同时利用多子和少子参与导电。由于少子的浓度容易受环境温度、外界辐射等因素的影响，因此，在环境变化比较大的场合采用场效应管最为放大管比较合适。 （4）场效应管的噪声系数比晶体管小，因此，在低噪声放大器的前端以及信噪比要求比较高的场合宜选用场效应管。 （5）场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型场效应管的栅源电压可正可负，在电路设计方面比晶体管有更多的灵活性。 （6）两种管子都可以用于放大电路和可控电子开关，然而场效应管还可以作为压控电阻使用，而且制造工艺更便于集成化，因此在电子线路中得到广泛的应用。 3、场效应管的选择方法 （1）当控制电压可正可负时，应选耗尽型MOSFET。 （2）当信号源内阻很高时，为得到较好的放大作用和较低的噪声系数，应选用场效应管。当信号源内阻很低时，为得到较好的放大作用，应选用晶体管。 （3）在低电流运行条件下，应选用CMOS管。 （4）在超高频、低噪声、弱信号的条件下，应选用场效应管。 （5）在作为双向导电的开关时应选用场效应管。 考点： 1、偏置电路 （1）固定偏置电路（已经不用） （2）自给偏压电路（结型和耗尽型MOS管） （3）分压式偏置电路（增强型和耗尽型场效应管） 2、场效应管放大电路分析 练习题 一、选择填空（只填 = 1 \* GB3 ①、 = 2 \* GB3 ②…字样） 1．晶体管是依靠 导电来工作的 器件；场效应管是依靠 导电来工作的 器件（ = 1 \* GB3 ①多数载流子， = 2 \* GB3 ②少数载流子， = 3 \* GB3 ③电子， = 4 \* GB3 ④空穴， = 5 \* GB3 ⑤多数载流子和少数载流子， = 6 \* GB3 ⑥单极型， = 7 \* GB3 ⑦双极型）。 2．晶体管是 ；场效应管是 （ = 1 \* GB3 ①电压控制器件； = 2 \* GB3 ②电流控制器件） 3．晶体管的输入电阻比场效应管的输入电阻 （ = 1 \* GB3 ①大得多； = 2 \* GB3 ②差不多； = 3 \* GB3 ③小得多）。 4．放大电路中的晶体管应工作在 ；场效应管应工作在 （ = 1 \* GB3 ①饱和区， = 2 \* GB3 ②放大区， = 3 \* GB3 ③截止区， = 4 \* GB3 ④夹断区， = 5 \* GB3 ⑤可变电阻区）。 5．绝缘栅型场效应管是利用改变 栅源两极电压 的大小来改变 沟道电阻 的大小，从而达到控制 漏极电流 的目的；根据 栅源两极电压为零 时，有无 漏极电流 的差别，MOS管可分为 耗尽 型和 增强 型。 二、解答题 1.已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。 图P1.22 解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22（a）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值