半导体器件-半导体工艺-扩散掺杂-2学时教学课件.ppt

半导体工艺简介掺杂工艺 什么是掺杂工艺？What ？ 集成电路生产过程中要对半导体基片的一定区域掺入一定浓度的杂质元素（什么是掺杂？What?）， 形成不同类型的半导体层， 来制作各种器件(为什么掺杂？Why?)， 这就是掺杂工艺。 怎么掺杂？How ？ 1、扩散 2、离子注入 3、生长中直接掺入 什么是扩散？What？ 物质的微粒总是时刻不停地处于运动之中， 这可称之为热运动。 在热运动的作用下， 物质的微粒都有一种从浓度高的地方向浓度低的地方运动的趋势， 这就是扩散。 为什么扩散？Why ？ 固态扩散的目的： 1、在晶圆表面产生具有掺杂原子的数量。 2、在晶圆表面下特定位置处形成NP或PN结。 3、在晶圆表面形成特定的掺杂原子分布。 扩散形成的掺杂区和结 怎么扩散？How？ 扩散过程 1、淀积 2、推进氧化 清洗和去除氧化物 问题！！！ 1、扩散方式； 2、扩散杂质分布； 3、有杂质的Si 半导体氧化后杂质分布； 4、扩散源。 扩散方式 晶体内扩散是通过一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃在整个三维方向进行，有多种方式，最主要有： A 填隙式扩散 B 替位式扩散 C 填隙-替位式扩散 A 填隙式扩散 B 替位式扩散 淀积过程中杂质的分布 1、特定杂质的扩散率 菲克第一定律 菲克第二定律 扩散方程： 2、杂质的最大固溶度 去釉 预淀积过程中杂质的分布 检测 推进氧化的影响 施主 受主 扩散源 1、液态源 氯化物 溴化物（BBr3，POCl3） 加热 反应气体 4BBr3+3O2?2B2O3+6Br2 均匀性、安全性、填料沾污 扩散源 2、气态源 氢化物 AsH3 B2H6 优势： 精确控制 洁净度好 缺点： 管路中容易形成二氧化硅粉尘 扩散源 3、固态源 最原始 氧化物 匙 远程固态源 近邻源 旋转涂覆源