传感器 5霍尔式 .pptVIP

§5.2 霍尔式传感器 霍尔式传感器是利用霍尔元件基于霍尔效应原理而将被测量、如电流、磁场、位移、压力等转换成电动势输出的一种传感器。 一、霍尔效应 一块长为l、宽为b、厚为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中。当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH。。 二、霍尔材料 1．锗(Ge)，N型及P型均可。 2．硅(Si)．N型及P型均可。 3．砷化铟(InAs)和锑化铟(InSb)，这两种材料的特性很相似。输出电势大。 三、霍尔元件的构造 霍尔片：矩形半导体薄片； 四极引线：长度方向两端面（控制电流端引线） 侧边两端面中点（霍尔电势输出引线） 壳体：非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。 四、测量电路 五、主要技术指标 六、不等位电势的补偿 不等位电势：磁感应强度为零，元件通以额定激励电流时，霍尔电极间的空载电势，或称为零位电势U0 不等位电阻：R0=U0/IH 产生原因：霍尔电极的位置不在同一等位面上； 材料不均匀，工艺不良； 后果：零位误差。 补偿方法 七、温度特性的补偿 原因：半导体材料本身的温度效应。（电阻率、迁移率、载流子浓度） 补偿方法： 选用温度系数小的霍尔元件（如：砷化铟）； 采用恒流源供电；(减小元件内阻随温度变化而引起的控制电流的变化) 线路补偿； 1、分流电阻法 适用于恒流源提供控制电流的情况。 控制电流极并联补偿电阻。 1、分流电阻法 当温度由T0变化为T 霍尔元件的输入电阻r，温度补偿电阻R0，霍尔元件灵敏度系数KH变化为： 霍尔电势变化为： 2、电桥补偿法 输出电极串连温度补偿电桥 温度变化引起并联的热敏电阻变化，从而调节输出电势。 八、霍尔传感器的应用 特点：霍尔式传感器转换效率较低，受温度影响大，但其结构简单、体积小、坚固、频率响应宽（1MHz）、动态范围（输出电势变化）大、无触点，使用寿命长、可靠性高、易微型化和集成电路化。 应用：在测量技术、自动控制、电磁测量、计算装置以及现代军事技术等领域中得到广泛应用。 霍尔式电流传感器 霍尔式压力传感器 角位移测量 转速测量 第5章 本章要点 下页 上页 霍尔效应和霍尔元件材料 霍尔元件构造及测量电路 霍尔元件的主要技术指标 霍尔元件的补偿电路 霍尔式传感器的应用举例 当载流导体或半导体处于与电流垂直的磁场中时，在其两端将产生电势差。 kH：灵敏度系数；I：控制电流；B：磁感应强度； 霍尔式传感器可以检测什么量？ 检测电流，或者检测能够引起磁场变化的物理量（位移、压力、振动） 如何提高传感器的灵敏度？ RH:霍尔系数；d：元件厚度 减小元件厚度，采用薄的霍尔元件可以获得更大的电势输出。 半导体材料电导率比金属小，载流子漂移速度比金属高，霍尔系数远大于金属材料的半导体系数，所以采用半导体元件制作霍尔元件。 三、霍尔元件的构造 RP：调整控制电流的大小； RL：输出端负载，可以是一般电阻，也可以是放大器输入电阻或表头内阻。 0.2 -0.1 0.5 =0.085 1.5 3 =8.5 100 砷化铟 0.2 -0.1 0.3 =0.08 1.5 2 =12 150 0.2 -0.07 1 =0.075 1.1 1.4 =30 400 -2.0 -2.0 10 8~30 10~30 10~30 80－300 10 -1~-1.3 -1~-1.3 10 50~100 240~550 240~550 250~550 5 锑化铟 r1、r2温度系数/％ UH温度系数/％ 不平衡电压Um/mV 灵敏度KH 输出电阻r2/欧 输入电阻r1/欧 无负载霍尔电压UH/mV 输入电流I/mA 品种 返回 图5-23 不等位电势的补偿电路 控制电流变化为： 1、分流电阻法 温度补偿即为使得 UH0=UH 霍尔式压力传感器 磁场与薄片法线的夹角