Chapter-3-用于MEMS和微系统的材料.pptVIP

3.9 封装材料 微电子封装中，封装能够保护IC芯片和相互连接不受外界环境影响就足够了 微系统封装，不仅要保护传感和执行单元，而且要求与相作用的介质相接触 材料包括用于IC封装的材料—芯片级的贵重金属线、用作导线的金属层、用于铆/约束基底附件的焊料等，还包括金属和陶瓷 微压力传感器的典型封装 * * * * * * * * * 第3章 用于MEMS和微系统的材料 3.1 衬底 微系统中，衬底使用目的有两个： 支撑将机械动作转换为电输出或者反之的转换器 信号转化器(压力传感器-Si膜；硅梁) 两种衬底材料用于微系统： 活性衬底材料-空间稳定性，对于环境条件不敏感 惰性衬底材料 可用作为基板的材料： Si SiO2、SiC、Si3N4和多晶硅等 3.2.1 Si Si是地球上最丰富元素，主要以化合物形式存在 单晶硅是用于MEMS和微系统最广泛衬底材料 力学性能稳定 理想的结构材料，高杨氏模量，但重量轻 熔点高，高温稳定性好 热膨胀系数小 没有机械迟滞效应，是理想的传感器和致动器的材料 硅晶片上容易制作涂层或者附加薄膜层 硅衬底制作工艺非常成熟 3.2.2 单晶Si 必须采用单晶硅作为MEMS和微系统的衬底 Czochralski单晶硅提纯法 粗硅+碳在石英坩埚中熔化 将种晶放在拉伸机尖端，与熔化硅接触并形成更大的晶体 拉伸机不断缓慢提升 不断拉伸及沉积，形成单晶硅芯棒 * 3.2.2 单晶Si(续) 采用以上方法得到的单晶硅棒直径可达300mm、长度可达30英尺、大约400公斤 用金刚石砂轮切成薄片 晶圆标准尺寸： 4英寸：100mmX500um(厚度) 6英寸：150mmX750um 8英寸：200mmX1mm 12英寸：300mmX750um * 3.2.3 单晶Si结构 单晶硅基本为FCC结构 基本认为各向同性 硅晶体的三维结构示意图 原子数为12个 原子数为18个 * 3.2.4 密勒指数 密勒指数一般用来指定晶面和晶向 一个平面与x、y、z相切 平面上的一点P(x,y,z)符合 另一种表现形式 立方结构晶体中，a=b=c=1 * 3.2.4 密勒指数(续) 顶面: (001) 右面: (010) 前面: (100) 对角面: (110) 倾斜面面: (111) 3.2.5 硅的力学性能 硅晶体主要晶面特征 (100)晶面包含最基本的原子数，因此晶面最弱，最易被加工 (110)晶面在微加工中可提供最洁净的加工面 (111)晶面上相邻原子间晶格距离最短，因此最难加工 晶向密勒指数 杨氏模量(GPa) 剪切模量(GPa) 100 129.5 79.0 110 168.0 61.7 111 186.5 57.5 (100)晶面与(111)晶面间的角度为54.74° * 3.2.6 MEMS材料力学和物理性能 屈服强度 sy (109N/m2) E (1011N/m2) r (g/cm3) C (J/g-°C) k (W/cm°C) a (10-6/°C) TM (°C) Si 7.00 1.90 2.30 0.70 1.57 2.33 1400 SiC 21.00 7.00 3.20 0.67 3.50 3.30 2300 Si3N4 14.00 3.85 3.10 0.69 0.19 0.80 1930 SiO2 8.40 0.73 2.27 1.00 0.014 0.50 1700 Al 0.17 0.70 2.70 0.942 2.36 25 660 Stainless steel 2.10 2.00 7.90 0.47 0.329 17.30 1500 Cu 0.07 0.11 8.9 0.386 3.93 16.56 1080 GaAs 2.70 0.75 5.30 0.35 0.50 6.86 1238 Ge 1.03 5.32 0.31 0.60 5.80 937 Quartz 0.5-0.7 0.76-0.97 2.66 0.82-1.20 0.067-0.12 7.10 1710 杨氏模量 质量密度 比热容 热导率 热膨胀系数 熔点 3.3 硅化合物 微系统中常用的三种硅化合物： SiO2 SiC Si3N4 * 二氧化硅在微系统中的三个主要应用： 作为热和电的绝缘体 作为硅衬底刻蚀的掩膜 作为表面微加工的牺牲层 获取二氧化硅的两种方法： 干法氧化 3.3.1 二氧化硅 湿法氧化(通入蒸汽) 特性 数值 密度 (g/cm3) 2.27 电阻 (W-cm) 1016 电介质常数 3.9 熔点 (°C) 1700 比热 (J/g-°C) 1.0 热导率 (W/cm°C) 0.014 热膨胀系数 (10-6/°C) 0.5 3.3.2 碳化硅