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目 录 模块一 半导体器件 半导体的特性 半导体的特性 稳压二极管是专门利用反向击穿特性的二极管。特性曲线、符号与等效电路图。 3.光电二极管：它的结构与普通二极管类似，使用时其PN结工作在反向偏置状态下，它是将光信号转变为电信号的半导体器件。 4.变容二极管：利用PN结的势垒电容随外加电压的变化特性可制成变容二极管。 半导体三极管有两种类型:NPN型和PNP型。 单极型半导体三极管又称场效应管（简称FET）其主要特点是输入电阻非常高可达108～1015Ω；另外还有噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、寿命长等特点。 1.结构 电路符号 (以N沟道结型场效应管为例)? 在D、S间加上电压UDS，则源极和漏极之间形成电流ID，我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）的宽度，这样就改变了沟道电阻，因此就改变了漏极电流ID。所以，改变UGS的大小可以控制漏极电流。这是场效应管工作的核心部分。 场效应管根据结构的不同，有结型场效应管（JFET）和金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET）两种类型。MOS场效应管具有制造工艺简单、占用芯片面积小、器件特性便于控制以及成品率高、成本低、功耗小等优点，因而广泛应用于集成电路中，特别是在大规模和超大规模集成电路中得到广泛的应用。 场效应管（单极型晶体管） 在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+ 区,就形成两个不对称的PN结，即耗尽层。把两个P+区并联在一起，引出一个电极G，称为栅极，在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极S和漏极D。 一 结型场效应管 结构图 符号 2.结型场效应管的工作原理 return (1).UGS对导电沟道的影响 UGS＝0 UGS0 UGS＝UP ID=0 UGS ID=0 return (2).UDS、UGS对导电沟道及ID的影响 UGS0,UDG|Up| UGS0,UDG|Up|预夹断 UGS ≤Up ID ID=0 ID return 3.结型场效应管的特性曲线 场效应管的特性曲线分为转移特性曲线和输出特性曲线。 (以N沟道结型场效应管为例)  1) 转移特性 在uDS一定时, 漏极电流iD与栅源电压uGS之间的关系称为转移特性。 即 在UGS(off)≤uGS≤0的范围内, 漏极电流iD与栅极电压uGS的关系为： return * 完成任务：制作一音频功放 模块一 常用元器件 模块二 分立元件小信号放大 模块四 低频功率放大器 模块三 集成放大器 模块五 直流稳压电源 模块六 信号产生与处理 任务1 半导体的特性 任务2 半导体二极管 任务4 场效应管 任务3 半导体三极管 return 导体 return 一、物质按导电性能可分为： 半导体 绝缘体 二、半导体的特性： 热敏特性 光敏特性 掺杂特性 半导体的特性动画 加热 指针电流表 三、杂质半导体： P型半导体：在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 （a)结构 （b)模型 半导体的特性 return N型半导体：在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如　　磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体。 （a)结构 （b)模型 半导体的特性 四、PN结： PN结：在一块本证半导体上，用工艺的办法使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，则在两种半导体的交界面处形成了PN结 P N PN 结的形成 PN结 半导体的特性 return 半导体二极管 半导体二极管：由PN结加上引线和管壳构成。 P N （a)结构 （b)符号 1、点接触型：PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 一、二极管的几种常见结构 半导体二极管 (b)面接触型 2、面接触型：PN结面积大，用于工频大电流整流电路 3、平面型：往往用于集成电路制造工艺。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中 (c)平面型 半导体二极管 半导体二极管外形 整流桥 肖特基二极管 整流二极管 开关二极管 大功率整流二极管 二 半导体二极管特性的测试： 任务：二极管、可调电源、万用表搭接电路，测量二极管的伏安特性。 A V + - U ID + - UD 半导体二极管 半导体二极管特性的测试： ID(A) UD(V) 6 5 4 3 2 1 0.7 0.3 0 -1 U(V) 测量结果填入表中，并根据测量结果画出二极管的伏安特性曲线，说明二极管的特性。 半导体二极管 伏安特性曲线 死区电压 反向击穿电压 return 半