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* 6.720J/3.43J 積體電路元件 J. A. del Alamo, H. L. Tuller, 與 J. Scholvin MIT 2002 秋季 Fall 2002 今日的矽微電子 拿下微處理器的蓋子,你會看到什麼? 一個連結非常緊密, 好幾層的網路. 裡面排列有高密度的小型電晶體. Intel’s Pentium IV Intel的Pentium IV 連結 今日, 通常都使用銅(Cu)來進行7層或7層以上的連結. 電晶體尺寸的縮小 在30年間,電晶體的尺寸大約縮小了兩個級數(10的2次方) 資料來源 Intel微處理器 圖片來源 IBM 人類血球細胞大小 病毒大小 科技進展 電晶體密度的突破 莫耳定律: 電晶體密度每1.5年就會增加一倍! 在30年中,電晶體的密度已經增加了4個級數(10的4次方) 電晶體數目 1.4倍/年 年 Intel微處理器 矽微電子革命所帶來的好處 在許多方面有指數性的改進, 如: ? 系統效能, ? 每個處理單元的成本, ? 每個單元的耗電, 以及 ? 系統的可靠度. 時脈速度 Intel微處理器 年 頻率 為何如此? 答案在 6.720 在30年內改進了4個級數(10的4次方) 電晶體成本 30年來約減少了3個級數(10的3次方) 年 Intel微處理器 電晶體價格 每處理單元的成本 30年來約降低4個級數(10的4次方) Intel微處理器 年 成功的要素: 1.金氧半場效電晶體 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 金屬 - 氧化矽 - 半導體 場效 電晶體 金氧半場效電晶體(MOSFET) =開關 閘極 汲極 源極 反轉層 閘極氧化層 VG VT時開關打開 VG VT時開關關閉 成功的要素: 2.金氧半場效電晶體尺寸的縮小 閘極長度 閘極延遲 隨著金氧半場效電晶體尺寸縮 小, 其效能變得更好: ? 開關時間縮短 ? 電力消耗較少 為何如此? 答案在 6.720 縮小尺寸需整體考量 長度, 厚度, 或深度 閘極長度 Lg 接面深度 (Xj) 閘極氧化層厚度 (Xox) 尺寸必需在各個象位上均衡地縮小, 以保持電性之完整. 為何如此? 答案在 6.720 成功的要素: 3.互補金氧半導體 CMOS: Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 互補 金屬 氧化矽 半導體 ? 互補式的開關在 V0 時也可以動作 ? 邏輯閘沒有靜態電力消耗 *
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