氧化物衬底上AlN薄膜的制备与对GaN薄膜的诱导生长分析.pdfVIP

摘 要 摘 要 第三代宽禁带半导体材料具有击穿场强大、热导率高、载流子迁移率高、抗 辐射能力强等特性，在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光电器件以及高温、 高频和大功率电子器件都有广泛的应用前景。在异质外延GaN 薄膜时由于缺乏在 晶格常数和热膨胀系数上相匹配的衬底材料，难以制备高质量的外延薄膜。因此 人们开始研究与GaN 具有相似结构，且化学和热稳定性较好的缓冲层材料来诱导 生长高质量的GaN 薄膜。AlN 和GaN 同属Ⅲ- Ⅴ族氮化物半导体，具有相同的晶 体结构和稳定的物理化学性能，是外延GaN 薄膜的理想缓冲层之一。本论文采用 激光分子束外延(L-MBE)法在 Al O 和 SrTiO 衬底上分别研究了不同结构的 AlN 2 3 3 缓冲层制备，并以其为缓冲层诱导生长了GaN 薄膜。 首先，在六方对称的蓝宝石Al2O3 衬底上通过分析生长温度、脉冲激光能量和 沉积频率等对AlN 薄膜的结构和光学性能的影响，得到了在Al2O3 衬底上制备AlN 薄膜的优化条件：生长温度为 650℃，激光能量为 200mJ/pulse ，激光频率2Hz 。 同时研究了AlN 和Al O 的匹配关系，发现AlN 薄膜相对Al O 衬底在面内旋转 2 3 2 3 了30°，从而减少它们之间的晶格失配度，降低了界面能。它们之间的外延关系为： AlN[1-210]//Al O [1-100]，AlN[1-100]//Al O [1-210]和AlN(0001)//Al O (0001) 。 2 3 2 3 2 3 其次，在立方对称的SrTiO (100)单晶基片上优化工艺条件，制备了(200)取向 3 的立方AlN 薄膜，实现了AlN 薄膜在STO 衬底上cube-on-cube 的外延生长。研究 发现：当温度较低时，AlN 为多晶薄膜；随着温度的升高，AlN 薄膜以层状模式 外延生长。随着N2 压强的增大，薄膜的结晶性能提高；当 N2 压强过高时，薄膜 质量又会降低。激光能量为150mJ/pulse 时，得到的是非晶薄膜；增大脉冲激光能 量，得到立方 AlN(200)取向的薄膜，结晶质量随着激光能量的增大而得到提高。 XRD 和RHEED 进一步分析表明立方AlN 和STO 的外延关系为：AlN[010]//SrTiO3 [010]和AlN(100)//SrTiO (100)，它们之间的晶格失配度为3.5 ％。 3 最后，采用冷等静压的方法烧结了致密的GaN 陶瓷靶，同时以不同结构的AlN 作为缓冲层，分别诱导生长了外延的六方和立方GaN 薄膜。XRD 和RHEED 分析 表明：六方纤锌矿结构的 GaN 外延关系为 GaN(0001)//AlN(0001)//Al O (0001)， 2 3 GaN[1-210]//AlN[1-210]//Al O [1-100] ；立方闪锌矿 GaN 的外延关系为 2 3 GaN(100)//AlN(100)//STO(100)，GaN[010]//AlN[010]//STO[010] 。h-GaN 和 c-GaN I 摘 要 的外延衍射峰的半高宽FWHM 分别为0.907°和0.053°，表面粗糙度RMS 为0.442nm 和2.518nm 。 关键词：AlN ，GaN，激光分子束外延法(L-MBE) ，SrTi