第七章 存储器(康华光).pptVIP

2006年9月4日 湖南科技大学 在由SSRAM构成的计算机系统中，由于在时钟有效沿到来时，地址、数据、控制等信号被锁存到SSRAM内部的寄存器中，因此读写过程的延时等待均在时钟作用下，由SSRAM内部控制完成。此时，系统中的微处理器在读写SSRAM的同时，可以处理其他任务，从而提高了整个系统的工作速度。 SSRAM的使用特点： 1、动态存储单元及基本操作原理 T 存储单元 写操作:X=1 =0 T导通，电容器C与位线B连通 输入缓冲器被选通，数据DI经缓冲器和位线写入存储单元 如果DI为1，则向电容器充电，C存1;反之电容器放电,C存0 。 - 刷新R 行选线X 读/写 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 7.2.3 动态随机存取存储器 读操作:X=1 =1 T导通，电容器C与位线B连通 输出缓冲器/灵敏放大器被选通，C中存储的数据通过位线和缓冲器输出 T / 刷新R 行选线X 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 每次读出后，必须及时对读出单元刷新，即此时刷新控制R也为高电平，则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。 * 信息与电气工程学院 存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 *7.5 用EDA技术和可编程器件的设计例题 教学基本要求： 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 了解CPLD、FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理。 概述 半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。 可编程逻辑器件是一种通用器件，其逻辑功能是由用户通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、结构灵活、处理速度快、可靠性高等优点。 存储器的主要性能指标 取快速度——存储时间短 存储数据量大——存储容量大 7.1 只读存储器 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 7.1.2 两维译码 7.1.3 可编程ROM 7.1.4 集成电路ROM 7.1.5 ROM的读操作与时序图 7.1.6 ROM的应用举例 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器): 在运行状态可以随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器)：在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失，常用于存放固定信息（如程序、常数等）。 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM)：静态RAM DRAM (Dynamic RAM)：动态RAM 7.1 只读存储器 几个基本概念： 存储容量(M)：存储二值信息的总量。 字数：字的总量。 字长（位数）：表示一个信息多位二进制码称为一个字， 字的位数称为字长。 存储容量(M)＝字数×位数 地址：每个字的编号。 字数=2n （n为存储器外部地址线的线数） 只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。(Read-Only Memory) ROM的分类 按写入情况划分 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM 按存贮单元中器件划分 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 存储矩阵 地址译码器 地址输入 7.1.1 ROM的定义与基本结构 数据输出 控制信号输入 输出控制电路 地址译码器 存储矩阵 输出控制电路 1) ROM（二极管PROM）结构示意图 存储 矩阵 位线 字线 输出控制电路 M=4?4 地址译码器 字线与位线的交点都是一个 存储单元。交点处有二极管 相当存1，无二极管相当存0 当OE=1时输出为高阻状态 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 当OE=0时 字线 存储 矩阵 位线 字线与位线的交点都是一个存储单元。 交点处有MOS管相当存0，无MOS管相当存1。 7.1.2 两维译码 该存储器的容量=? 7.1.3 可编程ROM（256X1位EPROM） 256个存储单元排成16?16的矩阵 行译码器从