从物理角度浅谈集成电路中的几个最小尺寸.pptVIP

下载本文档

25
0
约小于1千字
约 8页
2019-07-05 发布于天津
举报
版权申诉

从物理角度浅谈集成电路中的几个最小尺寸.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

从物理角度浅谈集成电路中的几个最小尺寸赖凯电子科学与技术系本科2001级击穿模型 SiO2击穿场强设光刻加工的线条宽度为L，为了测量和定义它，必不可少的误差为△L。由量子理论的Heisenberg测不准关系式，有 △L△P ≥ ,式中是△P粒子动量的不确定值。隧穿效应 * * MOS场效应管设SiO2介质薄膜厚度为d，则介质中的场强若要使SiO2介质薄膜不被击穿，则要求 EE击穿由前两式得 d E＝这里取 E击穿=100MV/m , VT ＝4V 代入 d 得 d 4×10－8m ,量级为 10nm,即 0.01um 从而 L＞对于波长?的光子，有 L光子＞取?＝240nm,可得L光子的量级为10nm，即0.01um 对于能量为E,质量为m的实物粒子 L粒子得在1000V的加速电压下，L电子量级为10-6um ,一般离子 L离子量级为10-8um 为使隧穿效应尽可能小，要求 1 透射系数 T= 即△x 当Eb=1V时△x1.9×10-9m，量级为1nm，即0.001um *