科技领军人才创业计划书(创业类)20160331.docVIP

XXXXXXXXXX有限公司（创业类） PAGE PAGE 8 项目创业计划书 1、关键技术和产品（建议2000字） 1)关键技术 (1) 技术研究内容 = 1 \* GB3 ① 利用CMOS工艺SJ结构思路，改变传统P/N节为超级结，使其在相同击穿电压下，参杂浓度提高，大幅降低VF和功耗。 = 2 \* GB3 ② 对超级结FRD的制作工艺进行优化，大幅缩短超级结外延层的生长时间从而显著降低产品成本。 = 3 \* GB3 ③ P/N掺杂立柱制备工艺的研发，实现电荷平衡，达到低热积存，显著缩短外延层的生长时间。 = 4 \* GB3 ④ 在成本相对不变甚至降低的前提下,使FRD有20%-30%的功耗降低，同时减少封装散热尺寸,兼备更高的功率密度。 (2) 项目实施的技术方案 技术路线：首先小批量实验样品, 在通过产品各项指标验证后, 在该工艺基础上规模量产, 与此同时通过缩短工艺尺度或者参数进行第二阶段的实验,以应变市场上的变化, 保持竞争力。 工艺的合理性及成熟性：依托目前成熟的CMOS半导体工艺流程,只需要在该流程基础上稍作某些步骤材料和参数上的微调, 就可以大规模量产。 (3)产业化技术 = 1 \* GB3 ①已设计开发出新型SJ结构，使其在相同击穿电压下，参杂浓度提高，大幅降低VF和功耗。 图1： 传统结构 图2：新型SJ结构 新型的SJ结构在相同击