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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 1、基片应具有的机电性能 ①高热导率，低膨胀系数，高绝缘电阻和抗电强度，低介电常数和低的介质损耗。 ②机械性能优良，易机械加工 ③表面平滑度好，气孔率小，微晶化 ④规模生产具可行性，适应金属化、成本低 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 2、电介质导热机制 金属导热的主要机制是通过大量质量很轻的自由电子的运动来迅速实现热量的交换，因而具有较大的热导率，但不适合制作IC基片（导电性）。 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 陶瓷是绝缘体，没有自由电子，其热传导机理是由晶格振动的格波来实现的，根据量子理论，晶格波或热波可以作为声子的运动来描述，即热波既具有波动性，又具有粒子性。通过声子间的相互碰撞，高密度区的声子向低密度区扩散，声子的扩散同时伴随着热的传递。 T1 高温端 T2 低温端 声子热传导（类似于气体） 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 陶瓷的热传导公式： K-热导率，C-声子的热容，V-声子的速度，l-声子的平均自由程，v-声子的振动频率。 声子的散射机制：声子的平均自由程除受到格波间的耦合作用外（声子间的散射），还受到材料中的各种缺陷、杂质以及样品边界（表面、晶界）的影响。 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 3、高导热晶体的结构特征 共价键很强的晶体； 结构单元种类较少，原子量或平均原子量均较低； 不是层状结构； 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 高热导率晶体都是由原子量较低的元素构成的共价键或共价键很强的单质晶体或二元化合物。 此类非金属晶体有：金刚石（昂贵）、石墨（电子电导）、 立方BN（昂贵）、SiC（难烧结，需热压）、 BP（对杂质敏感）、 BeO、AlN。 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 (1) 氧化铍瓷 性能 指标 密度/(g/cm3) 2.9 热导率/(W/m?℃) 310 热膨胀系数/(10-6 /℃) 7.2 抗弯强度/(MN/m2) 195 介电常数 6.5~7.5 介电损耗 0.005 绝缘电阻率/Ω?m 1012 关键：降低烧结温度 添加剂：MgO、Al2O3 问题：加入添加剂会使热导率降低 Be-O共价键较强 平均原子量仅12 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 (2) 氮化铝瓷 性能 指标 热导率/(W/m?℃) 可达280 热膨胀系数/(10-6 /℃) 3.5 抗弯强度/(MPa) 500 介电常数(1MHz) 8.8 介电损耗 5×10-4 绝缘电阻率/Ω?m 5×1011 Al-N共价键强 平均原子量20.49 热导率高 热膨胀系数与Si接近 3～3.8 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 § 2-2-4 透明陶瓷 1、透明陶瓷性能要求 2、光散射因子 3、陶瓷透明化的措施 4、典型透明陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 1、透明陶瓷性能要求 优良的介电性能 高透光率 高度均匀 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 2、光散射因子 杂质和添加物析出相 烧结过程中的剩余气孔 陶瓷的晶界引起的反射 散射中心：气孔、夹杂物、晶界相等结构或成分不均匀的微小区域 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 3、陶瓷透明化的措施： 采用活性高、细，烧结性好的高纯粉料，常用化学共沉法制备。 适当的添加物：晶界偏析，抑制晶界迁移，排除气孔；液相烧结，促进陶瓷致密化。 烧结（温度、时间、气氛）：气孔的消除 。 减小光学各向异性：将居里温度降至室温。 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 4、典型透明陶瓷 透明氧化铝瓷 透明尖晶石瓷 透明氧化钇瓷 透明氧化镁瓷 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 § 2-3-1 传统陶瓷基片的缺陷 § 2-3-2 LTCC的优点 § 2-3-3 LTCC的研究现状 § 2-3-4 LTCC材料体系 § 2-3-5 LTCC的用途 第6章