CMOS图像传感器集成A.docVIP

CMOS图像传感器集成A/D转换器技术的研究 来源：中国科学院，微电子研究所　　　时间：2008-11-13　　字体：[ 大 中 小 ]　　 投稿 　　摘　要：片上集成A/D转换器是CMOS图像传感器的关键部件，文章分析和比较了三类不同集成方式：芯片级，列级和象素级的原理，性能和特点。最后，展望了CMOS图像传感器上集成A/D转换器的未来发展趋势。　　关键词： CMOS图像传感器；A/D转换器 　　Abstract: The A/D conversion is the key component of the CMOS sensor. In this paper we summarize the theories, performances and features of the chip level, column level and pixel level integrated ADC of the image sensor. Finally, the future trend of the development of techniques for analog to digital conversion of CMOS image is predicted. 　　Key Words：CMOS image sensor；A/D conversion 　　1.引言 　　随着半导体制造技术，多媒体技术的迅速发展，图像传感器作为数码相机，摄像头等图像获取设备的核心部件正在成为当前和未来研究的重点。按照类型来分图像传感器主要可以分为CCD型和CMOS型。CCD（Charged Coupled Device）技术由在贝尔实验室在1969年首先提出，至今已有25年的历史。它是利用一个特殊的VLSI工艺，在硅片表面上生成一个紧密压缩的多硅电极网格，通过光电效益收集电荷。在过去的20多年里，CCD 图像传感器以其高灵敏性低噪声和宽的动态范围的优点占领了图像传感器市场。但是随着CCD应用范围的扩大，其缺点逐渐显露出来，首先是CCD光敏单元阵列难与驱动电路及信号处理电路单片集成，不易处理一些模拟和数字功能，这些功能包括模数转换器、精密放大器、存储器、运算单元等元件的功能，其次CCD阵列驱动的脉冲复杂，需要使用相对高的工作电压，不能与深亚微米超大规模集成电路（VLSI）技术兼容，而且CCD功耗大的缺点严重限制了其在便携电子设备上的应用。MOS图像传感器的概念最早出现在20世纪60年代，但当时由于大规模集成电路工艺的限制未能进行研究。随着超大规模集成电路和微细加工技术的发展，最近人们已经成功将图像传感器，模数转换电路，图像处理电路等模块集成在一块CMOS图像传感器芯片上[1][2]，以达到低功耗，高性能，高集成度和高可靠性，并且大大降低系统成本和面积，CMOS图像传感器开始突破原来成像质量差的缺点，逐渐成为图像传感器领域的研究热点。 　　本文主要针对CMOS图像传感器上集成的模数转换器转换电路的主要类型及其特点和最新进展作一介绍。 　　2.集成A/D转换器的分类 　　任何A/D转换器都具有抽样、量化和编码的基本功能。抽样使模拟信号在时间上离散化使之变为抽样信号；量化则是将抽样信号的幅度离散化使之变成数字信号；编码是将数字信号最终表示成为数字系统所能接受的形式，如何实现这三个基本功能就决定了A/D转换器的结构和功能[3]。按照对信号的处理方式上来分，A/D转换器可以分为并行处理A/D转换器和串行处理A/D转换器两大类。并行结构处理速度较快，结构较复杂，串行A/D转换器结构简单，处理速度较慢。如果根据量化编码方式的不同，可以分为采用Nyquist频率采样并均匀量化的PCM型A/D转换器和采用增量调制的过采样型A/D转换器。 　　CMOS图像传感器上使用的A/D转换器按照集成方式的不同可以分为三种主要类型，芯片级集成，列级集成和象素级集成。 来源: 　　2.1芯片级集成(Chip Level) 　　芯片级集成是整个传感器阵列使用一个高速A/D转换器。这种结构的优点是由于A/D转换器作为一个独立的单元放置在传感器阵列外，A/D转换器的面积不受很强的限制。缺点是由于A/D转换器的高转换速率会带来较大功耗，而且由于传感器阵列与A/D转换器单元之间数据传输的是模拟信号，不可避免会引入额外的噪声，影响整个系统性能。 　　2.1.1并行结构A/D转换器 　　并行结构A/D转换器主要由电阻分压器，比较器，编码器构成。它的工作原理是每一级都需要一个比较器和分压电阻，通过串联电阻来产生比较器的参考电压。比较器输出输入信号和参考电压的比较结果送到一个解码器解码后输出数字量。这种结构的主要优点是采样速度只受比较器