项目4霍尔传感器.pptVIP

霍尔传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应，但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。 由于霍尔传感器具有体积小、成本低、灵敏度高、性能可靠、频率响应宽、动态范围大的特点，并可采用集成电路工艺，因此被广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。 1. 霍尔效应 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。该电动势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。 霍尔效应实验 实验原理 霍尔效应的解释 2. 霍尔元件结构及测量电路 1) 霍尔元件结构 霍尔元件的结构很简单，如图中所示，霍尔元件是由具有霍尔效应的半导体薄片、电极引线及壳体组成。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，在两个相互垂直方向侧面上，分别引出一对电极，共四个电极。其中a、b 电极用于控制电流，称控制电极，c、d 电极用于引出霍尔电势，称为霍尔电势输出极。在霍尔基片外面用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装作为外壳。 2) 测量电路 图中控制电流I由电源UE供给，可以是直流电源或交流电源，调节电阻RW是用来调节控制电流I的大小；RL是霍尔输出电压UH的负载电阻，通常是放大电路的输入电阻或表头内阻。霍尔电压UH一般为毫伏数量级，因而实际应用时要后接差动放大器。 3.误差及其补偿 在实际使用中，存在着各种影响霍尔元件精度的因素，即在霍尔电动势中叠加着各种误差电势，这些误差电势产生的主要原因有两类：一类是由于制造工艺的缺陷；另一类是由于半导体本身固有的特性。不等位电势和温度是影响霍尔元件主要误差的两个因素。 当霍尔元件的控制电流为IN时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势。 不等位电势补偿电路,图(a)是在电阻值较大的桥臂上并联电阻，图(b)是在两相邻桥臂上并联电阻，以增加电极等效电桥的对称性。 霍尔元件是采用半导体材料制成的，因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时，霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生化，从而使霍尔元件产生温度误差。 为了减小温度误差，除了选择温度系数小的霍尔元件(如InAs)或采取恒温措施外，由UH=KHIB可看出：采用恒流源供电是个有效措施，减小元件内阻随温度变化而引起的控制电流的变化，但是还不能完全解决霍尔电动势的稳定问题。 1) 位移传感器 2) 霍尔式汽车点火器 3) 转速计 4) 压力传感器 １、属于四端元件的 。 A. 应变片 B. 压电晶片 C. 霍尔元件 D. 热敏电阻 2、霍尔元件采用恒流源激励是为了 。 A. 提高灵敏度 B. 克服温漂 C. 减小不等位电势 3、减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是 。 A. 减小激励电流 B. 减小磁感应强度 C. 使用电桥调零电位器 4、多将开关型霍尔IC制作成具有史密特特性是为了 ，其回差（迟滞）越大，它的 能力就越强。 5、霍尔集成电路可分为 和 。 作业：P113 3、5 ? 4、集成霍尔传感器 集成霍尔传感器是利用硅集成电路工艺将霍尔元件和测量线路集成在一起的一种传感器。它取消了传感器和测量电路之间的界限，实现了材料、元件、电路三位一体。集成霍尔传感器与分立相比，由于减少了焊点，因此显著地提高了可靠性。此外，它具有体积小、重量轻、功耗低等优点，正越来越爱到众的重视。 集成霍尔传感器的输出是经过处理的霍尔输出信号。按照输出信号的形式，可以分为开关型集成霍尔传感器和线性集成霍尔传感器两种类型。 (1) 开关型集成霍尔传感器 开关型集成霍尔传感器是把霍尔元件的输出经过处理后输出一个高电平或低电平的数字信号。其典型电路见图。 集成霍尔传感器的输出电平与磁场B之间的关系见图6-2-7，可以看出，集成霍尔传感器的导通磁感应强度和截止磁感应强度之间存在滞后效应。 开关型集成霍尔传感器的这一特性，正是我们所需要的，它大大增强了开关电路的抗干扰能力，保证开关动作稳定，不产生振荡现象。 (2) 线性集成霍尔传感器 线性集成霍尔传感器是把霍尔元件与放大线路集成在一起的传感器。其