半导体激光器实验.docVIP

PAGE 半导体激光器实验 半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，它是1962年研制成功的。其基本结构原则上仍由工作物质、谐振腔和激励能源组成。半导体激光器主要工作物质有Ⅲ—V族化合物半导体GaAs（砷化镓）、MoSb（锑化钼）等；Ⅱ—Ⅳ族化合物半导体ZnS（硫化锌）、CdS(硫化镉)等。一般采用半导体晶体的解理面作为反射镜构成谐振腔。常用的激励能源有电注入、光激励、高能电子束激励和碰撞电离激励等装置。 半导体激光器既有单色性好、高亮度的特点，又具有体积小、重量轻、结构简单、效率高、寿命长等优点，有着广泛的应用前景。这类器件的发展，从一开始就和光通讯技术紧密结合在一起，它是当前通信领域中发展最快、最为重要的激光光纤通信光源，预期在光信息处理和光存储、光计算机和全息照相以及测距、雷达等方面都将得到重要的应用。可以预料，在飞速发展的激光光纤通讯技术中，半导体激光器将发挥出它的巨大潜力。 一、实验目的 1．了解半导体激光器的基本原理和光学特性； 2．掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节； 3. 根据半导体激光器的光学特性考察其在光电子技术方面的应用。 二、实验原理 1、半导体激光器的基本结构 最简单的半导体激光器由一个薄有源区、p型和n型限制层构成，其核心是pn结，pn结激光器的基本结构如图1所示。pn结通常在n型衬底上生长p型层而形成。在p区和n区都要制作欧姆接触，