第5章+非平衡载流子.pptVIP

Ec Ev Et ? (一) (二) 电子由Ec→Et ? ? (甲) (乙) (丙) (丁) 导带的电子浓度→n 复合中心上的空态→Nt-nt (甲) 复合中心上的电子浓度→ nt 导带中的空态 S－为比例系数, 称为电子激发几率 热平衡时，电子的产生率＝电子的复合率 (乙) 对复合中心： (丙) (丁) 2．复合稳态时复合中心的电子浓度 在稳定时，甲、乙、丙、丁四个过程 必须保持复合中心的电子数不变 甲+丁=乙+丙 ? ? (甲) (乙) (丙) (丁) 甲 丁 丙 乙 3．间接复合的复合率ui和寿命?i 当复合达到稳态时 un=up 甲 乙 un电子的净复合率 热平衡时 上式为通过复合中心复合的普遍理论公式 非平衡态时 当nt很小时，近似地认为 (1) 小注入的N 型材料 为深能级，接近Ei Ec Ev EF Et 同样 n0p1 N型材料的非子的间接复合寿命决定于空穴的寿命 N型材料中, 对寿命起决定作用的是复合中 心对少子空穴的俘获系数 rp (2) 小注入的p型材料 Ec Ev EF E t 非子的寿命决定于电子的寿命 小注入时非子的寿命决定于少子的寿命。 (3) 大注入 4．有效复合中心 若： 当 时， 最小, ui 极大 位于禁带中央的深能级是最有效的复合中心 ● 如果 Et ? Ec，那么由 Ec—Et 决定的 n1 大， n1 决定发射电子的产生率 Qn=rnntn1 大，电子容易从 Et 能级上发射出去，进入导带，un=Rn—Qn?， ● 如果 Et? EV，那么 p1?，Et 能级向价带发射的空穴数 ?，Et 上净俘获的空穴几率 up?。 浅能级不能起有效的复合中心的作用 第5章 非平衡载流子 5.1非平衡载流子的注入与复合 非简并半导体处于热平衡状态的判据式 非平衡状态 非平衡载流子 一、非平衡载流子的产生 1．光注入 用波长比较短的光 照射到半导体 光照 ?n ?p no po 光照产生非平衡载流子 2．电注入 3．非平衡载流子浓度的表示法 产生的非子一般都用?n，?p来表示 。 达到动态平衡后： n=n0+?n p=p0+?p n0，p0为热平衡时电子浓度和空穴浓度 ， ?n，?p为非子浓度。 对同块材料 ： ?n=?p 热平衡时n0·p0=ni2，非平衡时n·p＞ni2 n型： ?n—非平衡多子 ?p—非平衡少子 p型： ?p—非平衡多子 ?n—非平衡少子 注意： ?n，?p—非平衡载流子的浓度 n0，p0—热平衡载流子浓度 n，p—非平衡时导带电子浓度 和价带空穴浓度 4．大注入、小注入 ● 注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的多子浓 度，称为大注入。 n型：?nn0，p型：?pp0 ●注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的少子浓 度，小于平衡时的多子浓度，称为小注入。 n型：p0?nn0，或p型：n0?pp0 例： ? ? 1 ??cm的n型硅中，n0 ? 5.5?1015cm-3, p0 ?3.1 ?104cm-3. 注入非子 ?n= ? p=1010cm-3 则 ?n n0，小注入 但 ?pp0。 非平衡少子浓度平衡少子浓度 即使小注入， 实际上，非平衡少子起重要作用。 二、非平衡时的附加电导 热平衡时： 非平衡时： ——附加电导率 n型： 多子： 少子： 光注入引起附加光电导 光照 R 半导体 三、非平衡载流子的检测与寿命 1．非平衡载流子的检测 设外接电阻 R r (样品的电阻) 外 无光照时 ： 有光照后 ： 半导体电压降的变化直接反映了附加电导率的变化，也间接地检验了非平衡 少数载流子的注入 2．非平衡载流子随时间的变化规律 (1) 随光照时间的变化 t=0，无光照，?Vr=0 △Vr t 0 t0，加光照 ↑有净产生 光照时，产生﹥复合 非平衡状态 (2) 取消光照 在t=0时，取消光照， 复合产生 。 △Vr t 0 非平衡载流子在半导体中的生存时间称为非子寿命。 ↓有净复合 5.2非平衡载流子的寿命 小注入： 非平衡载流子： 寿命 复合几率 复合率 ， C为积分常数 t=0 时， 非平衡载流子浓度随时间按指数衰减的规律 非平衡载流子平均时间 令 寿命标志着非平衡载流子浓度减小到原值1/e所经历的时间 ， 寿命 锗：104μs 硅：103μs 砷化镓：10-8~10-9s 0 τ t 5.3准费米能级 热平衡状态时，半导体具有统一的费米能级 非平衡时 非平衡