蓝宝石单晶现状及发展趋势.doc

PAGE 蓝宝石单晶现状及发展趋势 纪秀峰 摘要：本文简要介绍了蓝宝石单晶的性质和应用领域，回顾了泡生法等蓝宝石单晶的生长工艺，对蓝宝石单晶的国内外发展现状及发展趋势进行了分析。 关键词：蓝宝石，单晶，现状，发展，趋势 1、引言 蓝宝石是人工合成晶体中一个重要的材料品种，由于其优良的机械和光学性能，蓝宝石晶体得到了广泛的应用，主要用途包括耐磨元件、窗口材料以及MOCVD外延衬底材料等。近年来半导体照明产业的快速发展，带动了蓝宝石衬底材料需求的快速增长。用于MOCVD外延衬底的蓝宝石材料占到总产量的80%以上。2009年下半年以来，蓝宝石衬底一直处于材料紧缺和价格上涨趋势。亚洲是蓝宝石衬底最大需求地，仅台湾和日本企业就分别占到全球销售总量的58%和19%。而蓝宝石晶棒和抛光片的主要提供商则以美、俄、日、韩企业为主，中国企业在此领域还处于起步阶段。 2、蓝宝石的性质及用途 蓝宝石是纯净氧化铝的单晶形态，化学成分是Al2O3。蓝宝石的莫氏硬度为9，仅次于金刚石。25℃时蓝宝石的电阻率为1×1011Ωcm，电绝缘性能优良。蓝宝石还具有良好的光学透过性、热传导性以及优良的机械性能 表1 蓝宝石物理特性 晶系 六方晶系 晶格常数（?） a=4.748 熔点（℃） 2050 密度（g/cm3）） 3.98 莫氏硬度 9 热导率（cal/℃ cm s） 0.86（25℃） 总光透过率 95% 蓝宝石的主要应用领域包括耐磨元件、窗口材料以及电子器件领域。在电子领域，蓝宝石最大的应用主要有两种，GaN基蓝绿光LED和射频器件，射频器件主要针对手机市场（蓝宝石上硅SOS技术）。2009年电子应用的蓝宝石衬底市场规模接近900万片（以2英寸晶片计算），SOS射频应用的6英寸及8英寸蓝宝石晶片用量数以万计。 表2 蓝宝石的主要用途 材料名称 应用领域 主要用途 蓝宝石晶体 耐磨元件 仪表轴承、钟表轴承、天平刀口、陀螺 可见光窗口 表镜、手机、条码机、投影仪窗口 红外窗口 红外分析仪、探测器、夜视仪、整流罩 电真空器件 行波管夹持件、无磁支撑件、高温绝缘件 外延衬底 SOS衬底、ZnO衬底、GaN衬底 3、蓝宝石单晶制备工艺 自1902年用焰熔法得到第一颗人工宝石至今，各种人工生长蓝宝石晶体的工艺不断发展，诞生了焰熔法、提拉法、泡生法等十余种晶体生长方法。这些方法各有利弊，应用领域各不相同。目前工业化应用的主要工艺有泡生法、提拉法、导模法以及坩埚下降法等。其中泡生法（包括改进的泡生法）为主流工艺，生产的蓝宝石晶体约占70%。 3.1焰熔法（Flame fusion，或称Verneuil法） 由法国人维尔纳叶（Verneuil）于1902年正式确立并发表，这是最早的工业化生长蓝宝石单晶的方法。以纯净的Al2O3 粉末为原料，以氢氧焰为加热源，位于装置上部的Al2O3 粉末在向下撒落的过程中通过氢氧焰产生的高温区并被加热熔融，熔融的原料落在下方的籽晶顶端并逐渐结晶长成蓝宝石晶体。焰熔法设备简单，晶体生长速度快，但是所生长的晶体结构完整性差、应力大，晶体的典型位错密度为105-106/cm2。因此，用这种方法生产的蓝宝石晶体主要用于制造廉价的仪表轴承以及耐磨元件等。 3.2 提拉法（Czochralski，简称Cz法或柴氏法） 提拉法由Czochralski于1918年创立，是最常用的从熔体中生长晶体的方法。1964年Poladino和Rotter首先将该方法用于蓝宝石单晶生长。 与CZ法生长硅单晶的工艺类似，将预先合成好的多晶原料装在坩埚中，加热到2050℃以上将原料熔化为熔体，在坩埚的上方有一根可以旋转和升降的提拉杆，杆的下端装有籽晶。降低提拉杆，使籽晶插入熔体中，只要温度合适，籽晶既不熔掉也不长大，然后以一定速率向上提拉。同时，缓慢地降低加热功率，籽晶就逐渐长粗，小心地调节加热功率，就能得到所需直径的晶体。整个生长装置在一个封闭的炉腔里，以便保持生长环境中所需要的气氛和压力。通过炉腔上的窗口，可以观察到晶体的 提拉法的主要优点是：在生长的过程中可以方便地观察晶体的生长情况；晶体在熔体表面处生长，而不与坩埚相接触，这样能显著地减小晶体的应力，并防止埚壁的寄生成核；可以方便地使用定向籽晶和“缩颈”工艺，其位错密度大大降低。因此，提拉法生长的蓝宝石晶体，其完整性很高，而生长速率和晶体尺寸也是令人满意的。提拉法生长的蓝宝石晶体具有较低的位错密度，较高的光学均匀性。缺点是成本较高，晶体直径受到一定限制。 3.3 热交换法（Heat Exchanger Method 简称HEM） HEM法是一种低温度梯度晶体生长方法，坩埚、热场和晶体均无需任何物理移动，晶体的生长完全依靠炉体结构所形成的温度梯度。 籽晶置于坩埚底部，通过控制坩埚底部的氦气流量保证籽晶处于低