CMOS工艺流程说明.pptVIP

* 11、长PSG（磷硅玻璃）。 PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ * 12、光刻Ⅷ---引线孔光刻。 PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ * 13、光刻Ⅸ---引线孔光刻（反刻Al）。 PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ VDD IN OUT P N S D D S Al * 2) 简化N阱CMOS工艺演示 * 氧化层生长 光刻1，刻N阱掩膜版 氧化层 P-SUB * 曝光 光刻1，刻N阱掩膜版 光刻胶 掩膜版 * 氧化层的刻蚀 光刻1，刻N阱掩膜版 * N阱注入 光刻1，刻N阱掩膜版 * 形成N阱 N阱 P-SUB 场区阈值电压调整： * 1) 清华工艺录像 N阱硅栅CMOS工艺流程 * 初始氧化 * 光刻1，刻N阱 * N阱形成 N阱 * Si3N4淀积 Si3N4 缓冲用SiO2 P-Si SUB N阱 * 光刻2，刻有源区，场区硼离子注入 有源区 有源区 N阱 * 场氧1 N阱 * 光刻3(N阱场区磷离子注入) N阱 * 场氧2 N阱 * 栅氧化 栅氧化层 N阱 * 多晶硅淀积 多晶硅 栅氧化层 N阱 * 光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管 N阱 NMOS管硅栅 用光刻胶做掩蔽 * 光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进，形成PMOS管 N阱 PMOS管硅栅 用光刻胶做掩蔽 * 磷硅玻璃淀积 N阱 * 蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化孔（图中展示的是刻铝后的图形） N阱 Vo Vin VSS VDD P-SUB 磷注入 硼注入 磷硅玻璃 PMOS管硅栅 NMOS管硅栅 * N阱硅栅CMOS工艺流程 * CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 1、光刻I---阱区光刻，刻出阱区注入孔 N-Si SiO2 * 2、阱区注入及推进，形成阱区 N-sub P-well * 3、去除SiO2，长薄氧，长Si3N4 N-sub P-well Si3N4 薄氧 * 4、光II---有源区光刻，刻出PMOS管、NMOS管的源、栅和漏区 N-Si P-well Si3N4 * 5、光III---N管场区光刻，N管场区注入孔，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。 光刻胶 N-Si P- B+ * 6、长场氧，漂去SiO2及Si3N4，然后长栅氧。 N-Si P- * 7、光Ⅳ---p管场区光刻（用光I的负版），p管场区注入， 调节PMOS管的开启电压，然后生长多晶硅。 N-Si P- B+ * 8、光Ⅴ---多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻 多晶硅 N-Si P- * 9、光ⅤI---P+区光刻，刻去P管上的胶。P+区注入，形成PMOS管的源、漏区。 N-Si P- B+ * 10、光Ⅶ---N管场区光刻，刻去N管上的胶。 N管场区注入，形成NMOS的源、漏区。 光刻胶 N-Si P- As 场区阈值电压调整：