QT_2A型半导体管特性图示仪操作规程完整.doc

. . . .......... QT-2A型半导体管特性图示仪操作规程 一、开机前的准备工作 1. 使用合适的电源线。图示仪只可使用图示仪专用的或经安全核准的电源线。 2. 产品接地。图示仪通过电源线接地导线接地，为了防止电击，接地导体必须与地面相连。在与图示仪输入或输出终端连接前，应确保图示仪已正确接地。 3. 请勿在无仪器盖板时操作。如盖板已卸下，请勿操作QT-2A型半导体管特性图示仪。 4. 在有可疑故障时，请勿操作。 5. 提供良好的通风环境。 操作须知 1. 为了取得准确的测量值，开机后必须保证有足够的预热时间。 2. 在测试器件过程中，阶梯信号及峰值扫描电压应先调至最小，然后由小到大，以免对被测器件造成冲击损坏。当器件测试完毕后，应将峰值扫描电压调至最小，才能取下被测器件。 3. 在高电压测试或者大电流测试时，应选择单次模式的测试方法。 4. 在测试器件过程中，先将集电极电压峰值调至最小0%，再根据被测器件的电压加载要求，选择合适的电压档级（0-10V档、0-50V档、0-100V档、0-500V档、0-5000V档）。然后再将电压峰值百分比由小至大调至合适值，以免对被测器件造成冲击，当器件测试完毕后，将集电极扫描电压峰值调至最小后，再取下被测器件。 5. 严禁在任何测试方式下进行C、E间的短路试验。 6. 在关机后不能立即再次起动开机，必须在大于30秒后再次开机。 7. 当选择高电压状态时要特别注意安全，测试完毕后，都应先将扫描电压回调至零后才能取下被测器件。 8. 在测试VMOS、IGBT等场控器件时，一般都需要加特别高的开启电压，此时可使阶梯电压/级置于较小档级，然后适当调高阶梯直流偏置电压△Ub，这样可得到较好的测试效果。 9. 在测试小电流器件时，集电极电流一般较小，应先校准容性电流，调整位置在前面板，再进行测试。 10.在测试大电流器件时，阶梯信号建议选择单次。测试中应逐渐增加扫描电压和阶梯信号，避免对测试器件的冲击。 11.该设备要由专人操作，操作员要经过培训后上岗，机器运转时，操作员不得长时间离开本机。 12.遇到紧急情况时，要立即关掉电源，并报告上级。 设 计 标准化 会 签 审 核 校 对 工 艺 会 签 批 准 第1页，共8页 三、使用说明 1.总体结构介绍（图一） 阶梯信号显示控制集电极电源示波管测试座偏转放大器 阶梯信号 显示控制 集电极电源 示波管 测试座 偏转放大器 设 计 标准化 会 签 审 核 校 对 工 艺 会 签 批 准 第2页，共8页 18172.面板控制键功能和说明（图二） 18 17 3334304140444342393837363532464847453129\92728262524192220211161514131211109876325423 33 34 30 41 40 44 43 42 39 38 37 36 35 32 46 48 47 45 31 29\9 27 28 26 25 24 19 22 20 21 1 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 3 2 5 4 23 设 计 标准化 会 签 审 核 校 对 工 艺 会 签 批 准 第3页，共8页 表一: 序号 面板和控制按键名称 菜单功能 1 示波器 15SJ118-DC 有效工作面8×10cm 2 聚焦 为示波管聚焦控制，当改变辉度后可适当调节聚焦，使光点聚成一清晰圆点。 3 辉度 为示波管亮度控制，顺时针方向为辉度增加，逆时针方向为辉度减弱直到熄灭。 4 光迹旋转 由于外磁场干扰作用，使扫描线发生倾斜，用以调节改变使扫描线与水平刻度线平行。 5 辅助聚焦 为示波管辅助焦距控制。 6 电源指示灯 电源接通，发光管亮，指示仪器通电工作。 7 电源开关 按入电源接通。 8 集电极电源极性选择 极性选择开关可以转换正负集电极电压极性，在NPN型与PNP型半导体管的测试时可按面板指示的极性选择。按钮弹出为正，按入为负。 9 扫描电压范围 选择10V、50V、100V、500V、5000V扫描电压范围。 10 功耗限制电阻 可选择0Ω-100KΩ20档电阻串联在被测管的集电极电路上，限止超过功耗，亦可作为半导体管集电极的负载电阻。 11 峰值电压范围 选择集电极电压：0-10V、0-50V、0-100V、0-500V、0-5000V中的一档电压。当由低档改换高档，观察半导体管的特性时必须先将峰值电压调至零值，换挡后再逐渐增加电压，否则易损坏被测器件。 12 交流平衡 是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，进行电容平衡调节。 13 电容平衡 由于集电极输出端对地存在各种杂散分