第1章+晶体二极管.pptVIP

* 1.2.3　PN 结的击穿特性 |V反|? = V(BR)时， ? IR 急剧??? ， ? PN 结反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 PN 结掺杂浓度较低(lo 较宽) 发生条件 外加反向电压较大( 6 V) 形成原因： 碰撞电离。 V(BR) ID(mA) V(V) 形成原因： 场致激发。 发生条件 PN 结掺杂浓度较高(lo 较窄) 外加反向电压较小( 6 V) * 因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ?V(BR)?。 击穿电压的温度特性 雪崩击穿电压具有正温度系数。 齐纳击穿电压具有负温度系数。 因为 T ? ? 价电子获得的能量? ?V(BR)?。 稳压二极管 VZ ID(mA) V(V) IZmin IZmax + - VZ 利用 PN 结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。 要求：Izmin Iz Izmax * 1.2.4　PN 结的电容特性 势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。 势垒电容 CT 扩散电容 CD 　　阻挡层外(P 区和 N 区)贮存的非平衡电荷量,随外加电压变化产生的电容效应。 CT(0) CT V O xn 少子浓度 x O -xp P+ N * PN 结电容 PN 结反偏时，CT CD ，则 Cj ? CT PN 结总电容： Cj = CT + CD PN 结正偏时，CD CT ，则 Cj ≈ CD 故：PN 结正偏时，以 CD 为主。 故：PN 结反偏时，以 CT 为主。 通常：CD ? 几十 pF ~ 几千 pF。 通常：CT ? 几 pF ~ 几十 pF。 * 1.3　晶体二极管电路分析方法 　　晶体二极管的内部结构就是一个 PN 结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型： 便于计算机辅助分析的数学模型 适于任一工作状态的通用曲线模型 直流简化电路模型 交流小信号电路模型 电路分析时采用的 * 1.3.1　晶体二极管的模型 数学模型—伏安特性方程式 理想模型： 修正模型： 其中：n —非理想化因子 I 正常时：n ? 1 I 过小或过大时：n ? 2 rS — 体电阻 + 引线接触电阻 + 引线电阻 注意：考虑到阻挡层内产生的自由电子空穴对及表面 　　　漏电流的影响，实际 IS ?? 理想 IS。 * 曲线模型—伏安特性曲线 V(BR) I (mA) V(V) VD(on) -IS 当 V VD(on) 时 二极管导通 当 V VD(on) 时 二极管截止 当反向电压 V ? V (BR) 时 二极管击穿 晶体二极管的伏安特性曲线，通常由实测得到。 * 简化电路模型 折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中， 　　　　　实际二极管的伏安特性。 I V VD(on) I V O a b I V VD(on) a b VD(on) RD D + - 理想状态：与外电路相比，VD(on) 和 RD 均可忽略时， 　　　　　二极管的伏安特性和电路符号。 开关状态：与外电路相比，RD 可忽略时的伏安特性。 简化电路模型：折线等效时，二极管的简化电路模型。 需两个动画 加动画 加动画 加动画 加动画 加动画 加动画 加动画 加动画 * 课程概述 电子线路：指包含电子器件、并能对电信号 　　　　　实现某种功能处理的电路。 电路组成：电子器件 + 外围电路 电子器件：二极管、三极管、场效应管、 　　　　　集成电路。 外围电路：直流电源、电阻、电容、电流源 　　　　　电路等。 * 第 1 章　晶体二极管 1.0　概　述 1.1　半导体物理基础知识 1.2　PN 结 1.3　晶体二极管电路分析方法 1.4　晶体二极管的应用 * 概 述 晶体二极管结构及电路符号： PN 结正偏(P 接 +、N 接 -)，D 导通。 P N 正极 负极 晶体二极管的主要特性：单方向导电特性 PN 结反偏(N 接 +、P 接 -)，D 截止。 即 主要用途：用于整流、开关、检波电路中。 * 1.1　半导体物理基础知识 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 硅(Si)、锗(Ge)原子结构及简化模型： +14 2 8 4 +32 2 8 4 18 +4 价电子 惯性核 * 　　硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 　　硅和锗共价键结构示意图： 共价键 1.1.1　本征半导体 * 本征激发 当 T 升高或光线照射时 产生自由电子空穴对。 共价键具有很强的结合力。 当 T = 0 K(无外界影响) 时，共价键中无自由移动的电子。 这种现象称 注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。 本