SJT-10049-1991 电子元器件详细规范 3DA1162型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管.pdf

SJ 中华人民共和国电子工业行业标准 sJ/T10049 10051-91 电子元器件详细规范 3DA1162、1722、2688型 硅NPN高频放大管壳额定的 双极型晶体管 1991-04-08发布 1991一07-01实施 中华人民共和国机械电子工业部 发布 中华人 民共 和国 电子 工业行业 标准 电子元器件详细规范 3DA1162型硅NPN高频放大管壳 额定的双极型晶体管 SJ/T10049-91 Detailspecificationforelectroniccomponents Caseratedbipolartransistor fors川conNPNhigh-frequencyamplificationfortype3DA1162 本标准适用于3DA1162型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB 7576《高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的，符合GB4936.1半《导体分立 器件总规范》，类的要求。 中华人民共和国机械电子工业部 1991-04-08批准 1991-07-01实施 一 1 一 SJ/T10049-91 中华人民共和国机械电子工业部 评定器件质t的根据 SJ/T10049-51 GB4936.1 半《导体分立器件总规范》 3DA1162型硅NPN高翻放大管亮撅定的双极型晶休管 订货资料:见本规范第 7章 1 机摊说明 2 筒略说明 外形符合GB7581(半导休分立器件外形尺寸》中F3 -01A的要求 半导体材料tai 封装:塑封(非空腔) 毛p厂 门 应用:功放电路 厂一] 产又 「一 门 3 质t评定类别 / 、 「一1 res .门 么 广 一1 t类 1 参考数据 P,ot=0.75W (T.mb=25C) 一 4Qp, P,o,=10W (To,c=25C) !一{一 』I ，I 曰月干 7}=2.5A H 口 Vceo=35V Vceo=35