SJT 11226-2000 3DA 505型L 波段硅脉冲功率晶体管.pdf

ICS31.080.30 L42 备案号 :7559一 2000 中华人 民共和 国电子行业标准 SJ/T 11226 2000 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 Detailspecificationforelectroniccomponents Type3DA505Lbandsiliconpulsepowertransistor 2000-08-16发布 2000-10-01实施 中华人民共和国信息产业部 发布 前 言 本规范是按照GB/T7576-1998 《半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型品体管空白详细规范》(idtIEC747-7-4:1991)标准制 订的，符合 GB/r4589.1-1989 《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》(idtIEC 747-10:1984)和GBa 12560-1999 《半导体器件 分立器件分规范)))(idtIEC747-11: 1996)的11类要求。 本规范由信息产业部电子工业标准化研究所归口。 本规范起草单位:信息产业部电子工业标准化研究所。 本规范主要起草人:赵 英、顾振球。 中华 人 民共 和 国 电子 行业标 准 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 SJ/T11226- 2000 Detailspecificationforelectroniccomponents 介pe3DA505Lbandsiliconpulsepowertransistor 本规范适用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GBIT7576-1998《半 导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶 体管空白详细规范》标准制订的，符合 GBrr4589.1-1989 《半导体器件 分立器件和 集成电路总规范》和GB/T12560-1999 《半导体器件 分立器件分规范》的ii类要求。 本规范引用的标准有GB/T4587-1994《半导体分立器件和集成电路 第7部分 双 极型晶体管N.GB/T4589.1-1989 《半导体器件 分立器件和集成 电路总规范》、GB/T 4937- 1995 《半导体器件机械和气候试验方法》和 GJB 128A-97 《半导体分立器件试 验方法》。 中华人民共和国信息产业部 2000-08-16发布 2000-10-01实施 一 t 一 SJ/T11226- 2000 中华人民共和国信息产业部 评定电子元器件质量的依据: GB/T4589.1-1989 《半导体器件 分立器件和集成电路总 规范》 Si厅 11226- 2000 GB/P12560-1999 《半导体器件 分立器件分规范》 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管详细规范 订货资料:见本规范第 7章。 1.机械说明 2.简要说明 外形图: L波段脉冲功率晶体管 见本规范1。之。 晶体管:NPN 半导体材料:S