高速单室说沉积微晶硅膜太阳电池的分析.docxVIP

摘要摘要 摘要 摘要 单室和高速沉积是降低硅基薄膜太阳电池成本的有效方法，也是加快其产 业化进程中必须攻克的难题之一。本文采用高频高压高功率的技术路线进行微 晶硅材料的高速沉积，并在国内首次尝试在单室VHF．PECVD系统中开展高速 制备微晶硅薄膜太阳电池的研究工作。论文主要内容如下： (1)首先分析了激发频率、功率密度、反应气压、电极间距、气体流量、 硅烷浓度等因素对微晶硅材料特性的影响。总结出获得高速高质量微晶硅可遵 循的技术途径。(a)选定沉积系统所用频率。在保证有效功率馈入的前提下，高 的频率易于得到较高的沉积速率。(b)气压和电极间距相互匹配，当其它参数 保持不变时，仅改变气压或电极间距，沉积速率和晶化率的变化范围较大，但 都存在一个最佳匹配点。(c)调节辉光功率是寻找硅烷耗尽点的最直接有效方法。 随着辉光功率的增大，沉积速率和晶化率都会有一个先增大后减小的趋势，硅 烷耗尽点的选择一般选择在出现下降前的区域。(d)调节硅烷浓度、气体流量 等也可对薄膜进行优化。本文在一定的沉积区间内(较高压力7-9Torr、较小电 极间距5mm．7mm)均可得到晶化率40％以上的微晶硅材料(沉积速率2nm／s左 右)。 (2)初步研究了高速微晶硅薄膜的沉积过程。发现薄膜的沉积速率、晶化 率、RMS随薄膜的沉积都会有一定的变化过程；且这三者的变化趋势能够很好 的进行对应。这有利于帮助我们更好的理解高速微晶硅的生长过程。高速微晶 硅在沉积初期有一个较厚的非晶孵化层，其沉积速率是逐渐增大的；当沉积速 率开始下降时，薄膜出现晶化；之后晶化率和沉积速率均呈增大趋势。而RMS 在薄膜出现晶化之前有一定的降低，之后再随晶化率的增大也有一个上升趋势。 本文通过后通硅烷法，有效的解决了高速沉积微晶硅非晶孵化层较厚、纵向结 构均匀性较差的问题，并且明显的增大了薄膜成核密度。 (3)因本文采用单室ⅦF．PECVD工艺高速制备微晶硅电池，故希望p／i／n 三层均采用相同的电极间距(5mm左右)。为此，P层的制备也需采用相对较 高的压力来保证辉光。我们对P型微晶硅材料电学特性和晶化率与氢稀释率、 掺杂比之间关系进行了研究。结果表明：高压沉积既能够提高生长速率，也有 利于降低电子温度，减小粒子轰击，得到的微晶硅薄膜比较致密，粗糙度较小。 I 摘要通过优化组合各沉积参数，在厚度为30hm左右时，获得了最大电导率为2．6S／cm、 摘要 通过优化组合各沉积参数，在厚度为30hm左右时，获得了最大电导率为2．6S／cm、 晶化率Xc=40％左右，沉积速率2．9AYs，RMS=2．05nm的P型微晶硅材料。 (4)在上述高速制备微晶硅薄膜材料和P材料的特性研究基础上，在单室 VHF．PECVD系统中进行了高速制备微晶硅太阳电池的初步研究。提出了两种能 够有效提高单室高速制各微晶硅太阳电池效率的方法：(a)使用高氢稀释、高气 压、低功率密度的方式沉积本征缓冲层，并应用到电池的p／i界面。其作用主要 有：高氢稀释沉积，可刻蚀掉腔壁上的硼产物，使其一部分被抽走；减小了硼 对本征层的污染厚度；高压沉积，薄膜较为致密，可有效抵抗后续i材料高能离 子轰击；高晶化率，对后续i层生长起到很好的籽晶层作用，不仅能够减小非晶 孵化层厚度，而且能够降低界面缺陷态密度。(b)通过改变高速制备i层时的硅 烷通入时间，优化高速制备微晶硅电池性能。一方面辉光初期的高氢稀释率可 降低一部分硼污染；另一方面硅烷通入时间的不同会对p／i界面和后续i层的生 长产生一定影响。 (5)最终，本论文在单室VHF．PECVD系统中，在微晶硅薄膜的沉积速率 为20．8A／s情况下，获得光电转换效率为5．27％(Jsc=20．04mA／em2，Voc--O．50V, FF=52．23％)的单结微晶硅薄膜太阳电池。 综上所述，本论文采用高频高压高功率的方法，实现了微晶硅薄膜的高速 沉积，并对其沉积过程进行了初步研究；同时，在单室VHF．PECVD系统中也 对高速制备微晶硅太阳电池进行了探索性的研究；提出两种在单室高速条件下 有效提高电池效率的方法：最终在较高的沉积速率下获得一定光电转换效率的 微晶硅电池，为大幅度降低硅薄膜太阳电池成本奠定了实验基础。 关键词：高速沉积、单室、甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF．PECvD)、 微晶硅太阳电池 II AbstractAbstract Abstract Abstract Deposition in single chamber at high rate is one of the effective way to reduce the costs of solar cells and the key issue to accelerate the process of t