第十章工艺集成教学.pptVIP

6. 源/漏（S/D）注入工艺 N＋源漏注入步骤 1. 第七次光刻：光刻N＋源/漏注入区，不去胶 2. N＋源/漏注入: 中等剂量注As P＋源漏注入步骤 1. 第八次光刻：光刻P＋源/漏注入区，不去胶 2. P＋源/漏注入: 中等剂量注硼 3. 退火：快速热退火RTP，温度1000℃，时间几秒， RTP的作用：①减小注入深度的推进②其它同普通的热退火 7. 接触形成工艺 接触形成工艺目的：在硅片所有的有源区上形成金属接触使硅和随后沉积的导电材料更紧密的结合，降低欧姆接触电阻。 NMOS管源漏注入区光刻版图及剖面图 4. 源/漏（S/D）注入工艺 光刻PMOS管源漏注入区 工艺目的：定义PMOS管的源漏注入区及NMOS管的衬底接触区，并为PMOS管源漏注入提供光刻胶阻挡层。工艺方法：同NMOS管源漏光刻。 PMOS管源漏区硼注入：能量60KEV， 剂量：1E15 4. 源/漏（S/D）注入工艺 PMOS管源漏注入区光刻版图及器件剖面图 4. 源/漏（S/D）注入工艺 BPSG沉积 工艺目的：生长BPSG作为层间介质ILD以隔离器件有源区与金属互连，并钝化器件表面。 工艺方法：LPCVD 硼磷硅玻璃BPSG 5. 金属互连的形成 回流/增密 作用：①源漏注入杂质的电激活 ②减少注入损伤