第9章+总线与系统扩展.pptVIP

根据以上取指时序的要求，8XX51单片机扩展程序存储器2732的电路图见图。 ? 图中，74LS373为8D锁存器，其主要特点在于：控制端为高电平时，输出Q0~Q7复现输入D0~D7的状态；G为下跳沿时D0~D7的状态被锁存在Q0~Q7上。当把ALE与G相连后，ALE的下跳沿正好把P0端口上此时出现的PC寄存器指示的低8位指令地址A0~A7锁存在74LS373的Q0~Q7上，PC的高4位地址A8~A11则直接由P2.0~P2.3提供。 由于只扩展了一片2732EPROM，因此2732的片选端接地。 PSEN与2732的输出允许型号OE相连，PSEN 的上升沿使OE有效，打开2732中由A0~A11指定的地址单元，该单元中的指令码从2732的O0~O7输出，被正好处于读入状态的P0端口输入到单片机内, 经译码执行。这就是从外存指定地址单元中取出1字节指令并加以执行的整个过程。 ? 单片机扩展2761，2764，27128等EPROM的 方法与图9-3相同，差别仅在于不同的芯片的存储 容量的大小不同，因而使用高8位地址的P2端口线 的根数不同。 扩展2716 （2KB）需使用A8~A10 三条高位地址线 扩展2764（8KB）需要A8~A12 五条高位地址线。 扩展27128（16KB)时 需要A8~A13六条高位地址线。 这是因为 存储器其容量=2N N为地址线的根数 注意：2764和27128的PGM引脚应接Vcc。 1. 电可擦除只读存储器EEPROM的性能 电可擦除只读存储器EEPROM即可像EPROM那样长期非易失地保存信息，又可像RAM那样随时用电改写，近年来出现了快擦下FLASH EEPROM，它门被广泛用作单片机的程序存储器和数据存储器。 目前，常用的EEPROM如表9-1，它们有如下共同特点： *单+5V供电，电可擦除可改写。 *使用次数为1万次，信息保存时间为10年。 *读出时间为ns级，写入时间为ms级。 *芯片因角信号与相应的RAM和EPROM芯片兼容，见表9-1。 9.2.2 EEPROM的扩展 型 号 引 脚 数 容量/字节 引脚兼容的存储器 2816 2817 2864 28C256 28F512 28F010 28F020 28F040 24 28 28 32 32 32 32 32 2KB 2KB 8KB 32KB 64KB 128KB 256KB 512KB 2716，6116 2764，6264 27C256 27C512 27C010 27C020 27C040 EEPROM的使用非常简单方便。不用紫外线擦除，在单一的+5V电压下写入的新数据即覆盖了旧数据。下面以2864为例说明EEPROM和单片机的连接方法。 2864为8KB EEPROM维持电流为60mA，典型读出时间为200~350ns，字节编程写入时间为10~20μs，芯片内有电压提升电路，编程时不必增高压，单一+5V供电。引脚和6264，2764兼容，引脚配置见图9-4。 8XX51扩展2864硬件电路如图9-5所示。图中2864即可作为数据存储器，有又可作为程序存储器。由于只扩展了一片，片选端接地。 图 9-4 FLASH存贮器又称闪速存贮器PEROM (Programmable Erasable ROM)，它是在EPROM工艺的基础上增添了芯片整体电擦除和可再编程功能，使其成为性价比高可靠性高、快擦写、非易失的EEPROM存贮器（后面简称Flash）。很多Flash内部集成有DC/DC变换器，使读、擦除、编程使用单一电压（根据不同型号，有的是单一＋5V，也有的是单一＋3V低压），从而使在系统编程（ISP）成为可能，目前很多单片机内均采用FLASH作为程序存储器。 FLASH的扩展方法和EEPROM一样，下面 以单片机8XX51与FLASH AT29C256的连接说明。 9.2.3 FLASH 存贮器（闪速存储器） 引脚 功能 A0-A14 地址线 CE 片选 OE 输出允许 WE