高体积分数sic项pal复合材料钎接-扩散复合连接工艺研究.docxVIP

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高体积分数sic项pal复合材料钎接-扩散复合连接工艺研究

硕士学位论文 硕士学位论文 高体积分数SiCp/AI复合材料钎接-扩散复合连接工艺研究 摘 要 SiCp/A1复合材料作为金属基复合材料的代表,已广泛的应用于航空航天、军事、 汽车和电子工业等领域。然而由于复合材料中增强相的加入,使得其焊接变得比较困难。 本文采用钎接一扩散复合连接高体积分数SiCp/Al复合材料,研究了工艺参数对接头强 度的影响,最终获得了比较理想的焊接接头。 采用A1.Si钎料对SiCp/Al复合材料进行真空钎焊试验,在620。C保温时间1 5min 获得最佳接头的强度为43.2MPa,远远低于母材的强度,原因在于A1.Si钎料与增强相 的润湿性不良,导致钎焊接头内出现了孔洞、未焊合、气孔和微裂纹等缺陷。 采用A1.Si钎料先钎焊后扩散焊连接SiCp/A1复合材料时,在620C保温时间5min 后冷却至500℃时加压2MPa、保温45min后得到接头的剪切强度为65.8MPa,比直接 钎焊时提高了52.3%,研究发现在冷却过程中加压保温可以促进原子的扩散,减小了焊 缝区成分的偏析,在一定范围内可以提高接头的强度,但当保温时间较长时,晶粒长大 比较严重,接头的强度反而会有所下降。 采用A1.Si钎料加压钎焊连接SiCp/A1复合材料时,在钎焊温度为620。C、压力为 5MPa、保温时间为15min时剪切强度能达到104.8MPa,比直接钎焊提高了142.6%,研 究发现压力是影响加压钎焊的主要参数,一定的压力可以挤出多余的液态钎料,降低焊 缝的厚度,使得接头的组织更加致密,因此可以提高接头的强度,然而压力过大时会使 接头的变形很严重,影响其使用性能。 采用A1.Si.SiC复合钎料真空钎焊连接SiCp/A1复合材料时发现钎料中加入SiC颗粒 后会导致钎缝区内出现较多的孔洞,采用A1.Si.SiC复合钎料加压钎焊连接SiCp/A1复合 材料时得到的钎缝组织致密,未发现气孔、孔洞和微裂纹等缺陷,钎缝是由0【.A1、Si、 SiC、Ah03等相组成,其中的洳灿相和Si相来自于母材和钎料,m203相来自于母材, SiC来自于复合钎料。对焊接接头进行剪切试验时发现复合钎料加压钎焊SiCp/A1复合 材料时可以获得比较理想的焊接接头,使用A1.Si.5%SIC复合钎料在钎焊温度为620。C、 压力为3MPa、保温时间为30min时剪切强度能达到172.1MPa,比直接钎焊提高了 298.3%,研究发现复合钎料中SiC颗粒的体积分数、压力和钎焊温度是影响接头强度的 重要因素,复合钎料中一定的SiC颗粒可以缓解母材与金属钎料之间的热膨胀系数之差, 从而减小了焊接残余应力,而一定压力和钎焊温度则可以促进钎料与SiC颗粒的润湿性。 关键词:SiCp/A1复合材料,真空钎焊,加压钎焊,扩散焊,复合钎料 万方数据 AbstractSiCp/AI Abstract SiCp/AI metal matrix composites have been widely used in aerospace,military, automotive。electronics industries and other fields as a representative of the composlte materials.However,since the composite reinforcing phase is added,SO that it becomes more di伍砌t t0 weld.In this paper,we used brazing-diffusion welding methods to weld SiCp/A1 co皿Lposites,studied the effects of process parameters on the joint strength,and ultimately got a good welded joint. We have a vacuntil brazing test at 620。C holding time 1 5min using A1-Si brazing filler for SiCp/A1 composites,then obtain optimal joint strength is 43.2MPa,far below the strength of the base metal,because the A1.Si brazing filler has a poor wettability with reinforced phase, resulting in a not welding together,stoma,holes,micro—cracks and o

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