氮化物量子点材料.pptVIP

* InGaN III族氮化物量子點材料之模板控制式磊晶成長及光電元件應用 主持人：果尚志 教授 　　　　許榮宗 副主任 演講者：林弘偉 參與同學 吳忠霖 博士：量子點成長 沈昌宏：量子點成長 陳虹穎：量子點光學量測分析 李弘貿：量子點成長 林弘偉：量子點成長 連絡同學：林弘偉 電話: ext.3238, 0919258270 E-mail: d937313@oz.nthu.edu.tw 計畫目標 成長出發光具有偏極化性質之量子點 選擇有台階之基板 成長量子點 選擇適當成長參數 量測發光性質 利用此量子點製作發光元件 MBE SYSTEM III-Nitride epilayer III-Nitride QDs Si(111) with miscut between 1 deg. and 4 deg. along (112) and (112). The most regular step arrays were obtained from samples cut 1.1 deg. towards (112) using a multi-step annealing sequence STM image of CaF2 dots Viernow et al., APL 74, 2125 (1999) Viernow et al., APL 72, 948 (1998) STM