模拟电子技术 教学课件 ppt 作者 张惠荣 编著第3章.pptVIP

第 3章 场效应管及其基本放大电路 本章教学基本要求 要知道：各种场效应管的符号、主要参数，各种场效应管的工作原理和使用方法。 会判断：根据已知UDS、UGS值，判断场效应管的工作区域；根据已知特性曲线判断管型。 会识别：各种场效应管的特性曲线及其UGS(th)、UGS(off)。 会画出：共源极场效应管放大电路的微变等效电路。 会计算：用等效电路法计算共源极场效应管放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 3.1 结型场效应管 3.1.1 结型场效应管的结构、符号和工作原理 1．结构和符号 结型场效应管的结构示意图如图3-l-1(a)所示，它是在一块N型半导体材料两边扩散高浓度的P型区(用表示)，形成两个PN结(耗尽层)。两边型区相连后引出一个电极称为栅极G，在N型半导体两端分别引出的两个电极称为源极S和漏极D。场效应管的栅极G、源极S和漏极D分别相当于半导体三极管的基极b、发射极e和集电极c。两个PN结中间的N型区域称为导电沟道，因为导电沟道是N型半导体，所以称之为N沟道。 3.1 结型场效应管 3.1.1 结型场效应管的结构、符号和工作原理 1．结构和符号 另外，若中间半导体改用P型材料，两侧是高掺杂的N型区(用表示)，这就得到了P沟道结型场效应管，如图所示。 3.1 结型场效应管 3.1.1 结型场效应管的结构、符号和工作原理 2．工作原理 3.1 结型场效应管 3.1.2 结型场效应管的特性曲线 1．漏极特性 (2) 夹断区 (3) 恒流区（放大区或饱和区） (4）击穿区 3.1 结型场效应管 3.1.3 结型场效应管的主要参数 1．直流参数 (1) 夹断电压UGS(off) (2) 饱和漏极电流IDSS (3) 直流输入电阻RGS 2．极限参数 (1) 最大漏源电压U(BR)DS(漏源击穿电压) (2) 最大栅源电压U(BR)GS(栅源击穿电压) (3) 最大耗散功率PDM 3．交流参数(微变参数) (1) 低频跨导gm (2) 漏极输出电阻rDS (3) 极间电容 3.2 绝缘栅场效应管 3.2.1 增强型绝缘栅场效应管 1．结构和符号 N沟道增强型MOS场效应管的结构如图3-2-1(a)所示。在一块P型硅片(称为衬底)上，通过扩散工艺形成两个高掺杂N型区作为源极和漏极，栅极(铝电极)与沟道之间，被一层很薄的二氧化硅(SiO2)所绝缘，故称为绝缘栅。图3-2-1(b)是N沟道增强型MOS管(简称NMOS)的符号，图3-2-1(c)是P沟道增强型MOS管(简称PMOS)的符号。管子衬底引出一个管脚，用符号B表示，通常衬底B与源极S相连。 3.2 绝缘栅场效应管 3.2.1 增强型绝缘栅场效应管 2．工作原理 3.2 绝缘栅场效应管 3.2.1 增强型绝缘栅场效应管 3．特性曲线 3.2 绝缘栅场效应管 3.2.2 耗尽型绝缘栅场效应管 1.结构、符号和工作原理 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构和增强型MOS管基本相同，只是在制作过程中预先在SiO2绝缘层中掺入大量正离子，如图3-2-4所示。由于正离子的作用，即使在uGS=0V时，漏源之间也存在导电沟道，如果漏源之间加上电压UDD，就有漏极电流iD产生。当uGS＞0时，沟道加宽，iD增大；当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。当uGS减小到一定负值时，沟道消失，iD =0，此时uGS 的值称为夹断电压，用UGS(Off) 表示。可见耗尽型MOS管可以在正、负及零栅源电压下工作。 3.2 绝缘栅场效应管 3.2.2 耗尽型绝缘栅场效应管 2．特性曲线 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的特性曲线如图3-2-5所示。 3.3 场效应管放大电路 3.3.1 场效应管的偏置电路及静态分析 3.3 场效应管放大电路 3.3.2 场效应管放大电路的微变等效电路及动态分析 * *