模拟电子技术 教学课件 ppt 作者 吴恒玉 第1章　半导体器件.pptVIP

1.2　相关的理论知识 1.2　相关的理论知识 1.2　相关的理论知识 (2)输出特性曲线　N沟道增强型场效应晶体管的典型输出特性曲线如图1-48b所示。 图1-48　增强型NMOS场效应晶体管的伏安特性曲线 1.2.6.3　场效应晶体管的主要参数及使用注意事项 1.2　相关的理论知识 1.场效应晶体管的主要参数(1)性能参数1)开启电压UGS(th)：UGS(th)是在uDS为一常量时，使iD大于零所需的最小uGS值。2)夹断电压uGS(off)：指iD为规定微小电流(如5μA)时的uGS，它是结型场效应晶体管和耗尽型MOS场效应晶体管的参数。3)饱和漏极电流IDSS：对于耗尽型管，在uGS =0情况下产生预夹断时的漏极电流定义为IDSS。4)直流输入电阻RGS(DC)：RGS(DC)等于栅-源电压与栅极电流之比。5)低频跨导gm：gm数值的大小表示uGS对iD控制能力，即(2)极限参数1)最大漏极电流IDM：IDM是管子正常工作时漏极电流的上限值。 1.2　相关的理论知识 2)击穿电压：管子进入恒流区后，使iD骤然增大的uDS称为漏-源击穿电压U(BR)DS，uDS超过此值会使管子烧坏。3)最大栅源电压U(BR)GS：表示栅-源间开始击穿时的电压值。4)最大漏极耗散功率PDM：PDM=uDSiD，耗散功率使管子发热，温度升高，使用时不能超过这个值。2.场