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不同退火溫度對矽鍺磊晶薄膜之影響研究陳炳茂1,2* 黃凱懋2 蕭至宏3 張守進3 l ：明新科技大學光電系統工程系 2 ：明新科技大學電子工程研究所3 ：國立成功大學微電子工程所 指導教授：張慎周 學號：G990J013 姓名：張至安 大綱 題目分析 摘要分析 前言分析 材料與方法分析 結果分析 討論分析 致謝 參考文獻 題目分析 題目：不同退火溫度對矽鍺磊晶薄膜之影響研究 題目的長度適中，不會贅字連連，或無法表達題意。 有明確的題目，不管是摘要、前言、或實驗方法等，都有依賴題目的正確性，並沒有偏離題目。 題目沒有用縮寫或專業術語帶過 摘要分析 1.他完全有符合摘要所要求的，把IMRAD重新整理成簡要的概述。 2.字數為245個字。 本研究利用超高真空化學氣相沈積法（UHV-CVD）成長矽鍺磊晶薄膜層於六吋矽基板（100) 上，其後利用常壓退火爐管於充滿氮氣條件下，在不同退火（Annealing）溫度從200℃提升至800℃之環境進行退火改質，探討在不同退火溫度下之矽鍺磊晶薄膜品質與差異特性。使用穿遂式電子顯微鏡、X光繞射儀、拉曼光譜儀與白光干涉儀分析矽鍺磊晶薄膜受不同溫度退火影響之情形，可由結果得知退火溫度控制的重要性，退火溫度約400℃ 左右矽鍺磊晶薄膜擁有較好的薄膜品質，過高的退火溫度反而使得矽鍺薄膜品質變差，針對矽鍺薄膜之研究結果未來將有助於提升