第二讲--半导体特性 PN结形成及特性.ppt

1、PN 结中载流子的运动 耗尽层 空间电荷区 P N □ 扩散运动 □ 扩散运动形成空间电荷区 电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 —— PN 结，耗尽层。 P N □ 空间电荷区产生内电场 P N 空间电荷区 内电场 UD 内电场——空间电荷区正负离子之间电位差 UD —— 电位壁垒； 内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 □ 漂移运动 □ 内电场有利于少子运动—漂移。 阻挡层 1、PN 结中载流子的运动 □ 少子的运动与多子运动方向相反 1、PN 结中载流子的运动 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小； 随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加； 当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。 空间电荷区的宽度约为几微米 ~ 几十微米； 电压壁垒 UD：硅材料约为(0.6 ~ 0.8) V, 锗材料约为(0.2 ~ 0.3) V。 思考： 扩散电流与漂移电流的主要区别是什么？ PN结形成过程动画演示 1、PN 结中载流子的运动 PN结正向偏置— 当外加直流电压使PN结P型半导体一端的电位高于N型半导体一端的电位时（正向电压），称PN结正向偏置，简称正偏。 PN结反向偏置—当外加直流电压使PN结N型半导体一端的电位高于P型半导体一端的电位时（反向电压），称PN结反向偏置，简称反偏。 2、PN 的单向导电性 PN结正向偏置 PN结反向偏置 PN 结外加正向电压时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于导通状态； PN 结外加反向电压时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 PN结正偏导通，反偏截止 外电场方向 内电场方向 空间电荷区 V R I P N 正向电压（正向接法、正向偏置、正偏） 空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流 在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。 PN 结加正向电压 PN结正偏动画演示 2、PN 的单向导电性 PN结正偏动画演示 2、PN 的单向导电性 空间电荷区 P N 外电场方向 内电场方向 V R IS PN 结加反向电压 反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，随着温度升高， IS 将急剧增大。 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场 →少子漂移形成反向电流I R →耗尽层变宽 →漂移运动＞扩散运动 PN结反偏动画演示 2、PN 的单向导电性 　　当PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　结论：PN 结具有单向导电性。 2、PN 的单向导电性 正偏导通，反偏截止 小结 单向导电性 其中 PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） PN结的伏安特性表达式 3、PN 的特性曲线 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 PN 的反向击穿 3、PN 的特性曲线 P N 外电场 雪崩击穿：碰撞、倍增效应 4V以下 掺杂浓度低 齐纳击穿：直接破坏共价键 7V以上 掺杂浓度高 PN 的反向击穿 本讲主要介绍了以下基本内容： PN结形成：扩散、复合、空间电荷区（耗尽层、势垒区、阻挡层、内建电场）、动态平衡 PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止 PN结的特性曲线： 正向特性：死区电压、导通电压 反向特性：反向饱和电流、温度影响大 击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿 小 结 第二讲 半导体的特性、PN结的形成及特性 半导体的导电性能由其原子结构决定的。 一、什么是半导体？ 导体：电阻率 ? 10-4 ? ·cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 绝缘体：电阻率 ? 109 ?·cm 物质。如橡胶、塑料等。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。 硅原子结构 (a)硅的原子结构图 最外层电子称价电子 价电子 锗原子也是 4 价元素。 4 价元素的原子常常用+ 4 电荷的 正离子和周围 4个价电子表示。 +4 (b)简化模型 一、什么是半导体？ +4