太阳能电池的工作原理.ppt

太阳辐射穿过大气层的情况 AM0 (1367 W/m2) AM1.5 (963 W/m2) 太阳电池等效电路 3.3.2 太阳能电池的理想状态等效电路 理想的太阳电池等效电路：只有ISC和Id Iph 太阳能电池的实际状态等效电路 实际太阳电池等效电路：并联一个旁路电流支路等效电路 Iph Best Solar Confidential 硅太阳电池 化合物太阳电池 硅太阳电池 * 以硅为基体材料的太阳电池称为硅太阳电池。 单晶硅（Single crystaline-Si）太阳电池。 多晶硅（Polycrystaline-Si）太阳电池。 非晶硅（Amorphous-Si）太阳电池。 微晶硅（μc-Si）太阳电池。 HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)电池。 双面太阳电池。 §3-1 太阳电池的分类 按基体材料分 化合物太阳电池 ** 以化合物半导体材料制成的太阳电池称为化合物太阳电池。 单晶化合物太阳电池。 多晶化合物太阳电池。 有机半导体太阳电池。 染料敏化太阳电池。 按电池结构分 1. 同质结太阳电池 pn结是同一种半导体材料的同质结构成的太阳电池。 2. 异质结太阳电池 由禁带宽度不同的半导体材料形成的异质结构成的太阳电池。 3. 肖特基结太阳电池 利用金属-半导体界面上的肖特基势垒而构成的太阳电池称肖特基结太阳电池。 4. 复合结太阳电池 由两个或多个pn结形成的太阳电池称为复合结太阳电池。 按用途分 1. 空间太阳电池 指在人造卫星、宇宙飞船等航天器上应用的太阳电池。 制作精细，价格较高。 2. 地面太阳电池 指用于地面阳光发电系统的太阳电池。 具有较高的功率价格比。 3. 光敏传感器 光照强度不同，电流大小也不一样。 §3-2 太阳电池的工作原理 P型和N型半导体 3.2.1 通常应用的太阳电池是一种将光能直接转换成电能的半导体器件，其基本构造是由半导体的P-N结组成。 半导体 (semiconductor) * 定义：形成材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。 电阻率在某个温度范围内随温度升高而增加。 电导率在10-4～104/（Ω.cm）之间。 原子示意图 晶体的共价键结构 N型半导体 * n型半导体：硅晶体中掺入少量五价元素磷或砷原子。磷或砷原子称为施主。这种杂质半导体主要靠施主能级激发到导带中去的电子来导电，称为电子型半导体或n型半导体。 额外电子 P 对于n型半导体，电子浓度远大于空穴浓度，电子为多数载流子称为多子，空穴称为少子。 p型半导体：硅晶体中掺入少量三价硼原子。硼原子称为受主。这种杂质半导体的导电机构主要取决于满带空穴运动，故称空穴半导体或p型半导体。 P型半导体 * 空穴 B 对于p型半导体，电子浓度远小于空穴浓度，空穴为多数载流子称为多子，电子称为少子。 P-N 结 (P-N junction) 3.2.2 如果将n型和p型半导体两者紧密结合，连成一体，导电类型相反的两块半导体之间的过渡区域，称为P-N结。 空间电荷区 势垒区 耗尽区 内建电场 扩散流 漂移流 平衡PN结 热平衡时：扩散流=漂移流 PN 结中无净电流。 内光电效应 3.2.3 当半导体的表面受到太阳光照射时，如果其中有些光子的能量大于或等于半导体的禁带宽度，就能使电子挣脱原子核的束缚，在半导体中产生大量的电子-空穴对，这种现象称为内光电效应。 实现条件：hv≥ Eg 或λ≤hC/Eg 太阳电池基本工作原理 3.2.4 吸收光子，产生电子空穴对。 电子空穴对被内建电场分离，在PN结两端产生电势。 将PN结用导线连接，形成电流。 在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换。 晶体硅太阳电池的结构 3.2.5 上电极（-） 抗反射层 背面接触 基本晶体硅太阳电池的结构 有机太阳电池的结构 3.2.6 §3-3 太阳电池的电学特性 标准测试条件 3.3.1 大气质量—太阳光线通过大气层的路程对到达地球表面的太阳辐射的影响 AM0—地球大气层外的太阳辐射 AM1—穿过1个大气层的太阳辐射（太阳入射角为0） AM1.5—太阳入射角为48.2°的太阳辐射 国际上统一规定地面太阳电池的标准测试条件是： 光强：1000W/m2 光谱分布：AM1.5 电池温度：25℃ 电性能测试 大气质量(AM0-2)太阳光谱 大气质量(AM)太阳光谱定义几何示意图(AM=1/cos?z=(1+(s/h)2)-1/2), s是高度为h 的垂直竿的阳光下投影长度，?z太阳天顶角。 太阳数据 - 直径 1392000 km - 表面积