单片机第05章_半导体存储器及其应用(2005).pptVIP

第五章 半导体存储器及其应用 5.1 半导体存储器的分类 1. 随机存取存储器RAM (Random Access Memory) 存储器中的信息可读可写，但失电后会丢失信息。 1)双极型：由TTL电路组成基本存储单元，存取速度快,功耗高。 2)MOS型：由CMOS电路组成基本存储单元，集成度高、功耗低。 SRAM：静态RAM。 存储单元使用双稳态触发器，带电信息可长期保存。 只读存储器ROM(Read Only Memory) 工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入(固化信息)，失电后可保持信息不丢失。 1)掩膜ROM：不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读。 2)PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。 只读存储器（ROM） 1.掩膜ROM：不可改写ROM PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。 3)EPROM：可擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再次改写（见P109)。 3.EPROM：擦除PROM 4)EEPROM：可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又能失电保存信息。 二、半导体存储器的主要性能指标 1.存储容量 存储单元的总数 例：8位微机16位地址码（按字节编址） 最大容量：216 = 65536 = 64KB 2.存取速度 存取速度是用存取时间来衡量的。 存取时间-----存储器从接收到“读出”或“写入”的命令起到完成读数或写数操作所需的时间，称为存取时间(TA)。 5.2 随机读写存储器 SRAM：静态RAM。 存储单元使用双稳态触发器，带电信息可长期保存。 5.2 随机读写存储器 5.2 随机读写存储器 5.2 随机读写存储器 5.2 随机读写存储器 半导体存储器的基本结构 矩阵存储体 译码驱动器 读写电路 地址总线 数据总线 控制总线 存储器结构框图 存储器外部信号引线：D0～7数据线：传送存储单元内容。 根数与单元数据位数相同。 A0～9地址线：选择芯片内部一个存储单元。 根数由存储器容量决定。 存储器结构框图 静态RAM Intel 2114 静态RAM Intel 6116 存储器外部信号引线：D0～7数据线：传送存储单元内容。 根数与单元数据位数相同。 A0～10地址线：选择芯片内部一个存储单元。 根数由存储器容量决定。 静态RAM Intel 6116 静态RAM Intel 6116、6264 存储器外部信号引线： D0～7数据线：传送存储单元内容。根数与单元数据位数相同。 A0～10地址线：选择芯片内部一个存储单元。 根数由存储器容量决定。 EPROM 2716 EEPROM 2816 5.4 CPU与存储器的连接 存储器与微型机三总线的连接： 存储器与单片机的连接 存储器与微型机三总线的一般连接方法和存储器读写时序。 1.数据总线与地址总线为两组独立总线。 存储器与单片机的连接 存储器芯片的扩充 例1 用2K×1位存储器芯片组成 2K×8位存储器系统。 例2 用2K×8位存储器芯片组成2K×16位存储器系统。 二.扩充存储器容量 存储器与单片机的连接 存储器与微型机三总线的一般连接方法和存储器读写时序。 1.数据总线与地址总线为两组独立总线。 存储器与单片机的连接 常用芯片简介 — 程序存储器 27X 系列 2716 (2K ? 8 = 16KBIT) 2732 (4K ? 8 = 32KBIT) 2764(8K ? 8 = 64KBIT) 27128 (16K ? 8 = 128KBIT) 27256 (32K ? 8 = 256KBIT) 27512 (64K ? 8 = 512KBIT) 程序存储器的工作方式-2716(见P110) 程序存储器的工作方式-2732 程序存储器的工作方式-2764 27X. 6X系列存储器 常用芯片简介 — 数据存储器 6X 系列 6116 (2K ? 8 = 16KBIT) 6264 (8K ? 8 = 64KBIT) 存储器连接常用接口电路(p115) 当单片机外接芯片较多，超出总线负载能力，必须加总线驱动器。 2. 地址锁存器 74LS373、8282(见P115) 地址锁存器 74LS373 原理 常用芯片