1.1半导体的主特征.pptVIP

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  • 2019-07-18 发布于江苏
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PN 结的形成 PN 结的单向导电性 1.1.4具有特殊性能的半导体器件 A. 热敏电阻 B. 光敏电阻(MG) C. 压敏电阻(MY) D. 磁敏电阻(MC) 动画26 c. 电子是多数载流子,简称多子;空穴是少数载流 子,简称少子。 e. 因电子带负电,称这种半导体为N(negative)型或 电子型半导体。 f. 因掺入的杂质给出电子,又称之为施主杂质。 b. N型半导体中产生了大量的(自由)电子和正离子。 小结 d. np× nn=K(T) a. N型半导体是在本征半导体中掺入少量五价杂质 元素形成的。 (2) P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼等。 B +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B 出现了一个空位 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B +4 +4 负离子 空穴 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 半导体中产生了大量的空穴和负离子 动画33 c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 e. 因空穴带正电,称这种半导体为P(positive)型或 空穴型半导体。 f. 因掺入的杂质接受电子,故

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