应用反短／窄沟效应优化亚阈值SRAM单元-哈尔滨工业大学学报.pdf

第４９卷　 第４期 哈　 尔　 滨　 工　 业　 大　 学　 学　 报 Ｖｏｌ４９ Ｎｏ４ 　 　 ２０ １７年４月 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＨＡＲＢＩＮ ＩＮＳＴＩＴＵＴＥ ＯＦ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ａｐｒ． ２０１７ ＤＯＩ：１０．１１９１８／ ｊ．ｉｓｓｎ．０３６７⁃６２３４．２０１５１１１０８ 　 　 　 　 　 　 应用反短／ 窄沟效应优化亚阈值 ＳＲＡＭ 单元 蔡江铮，袁　 甲，陈黎明，黑　 勇 （中国科学院微电子研究所 智能感知中心，北京 １０００２９） 摘　 要：为缓解传统存储器单元尺寸设计方法在亚阈值区引入的面积和外围电路开销问题，采用晶体管的反短沟效应和反窄沟 效应改进传统方法，不仅解决了亚阈值电压下单元面积和外围辅助电路开销过大的问题，还进一步提升了单元的噪声容限和读 写速度．以１０管静态随机存储器单元为研究对象，基于中芯国际１３０ ｎｍ工艺进行物理实现，测试结果表明，相比于传统方法，所 提出的尺寸设计方法节省单元面积开销７６％，提升静态噪声容限３０．５％，使静态随机存储器能稳定地在０．３２Ｖ 的电压下工作． 关键词：亚阈值；静态随机存储器；尺寸设计；反窄沟效应；反短沟效应 － － － 中图分类号：ＴＮ７８４ 文献标志码：Ａ 文章编号：０３６７ ６２３４（２０１７）０４ ００６１ ０５ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＳＲＡＭ ｃｅｌｌ ｂｙ ｕｔｉｌｉｚｉｎｇ ｒｅｖｅｒｓｅ ｓｈｏｒｔ ｃｈａｎｎｅｌ ａｎｄ ｒｅｖｅｒｓｅ ｎａｒｒｏｗ ｃｈａｎｎｅｌ ｅｆｆｅｃｔ ＣＡＩ Ｊｉａｎｇｚｈｅｎｇ，ＹＵＡＮＪｉａ，ＣＨＥＮ Ｌｉｍｉｎｇ，ＨＥＩ Ｙｏｎｇ （Ｓｍａｒｔ Ｓｅｎｓｉｎｇ Ｒ＆Ｄ Ｃｅｎｔｒｅ，Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｏｆ Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００２９，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｏｍｉｔｉｇａｔｅｔｈｅｃｏｓｔ ｏｆ ａｄｄｉｔｉｏｎａｌ ａｒｅａａｎｄｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｃｉｒｃｕｉｔ，ｗｈｉｃｈ ｉｓｃａｕｓｅｄｂｙ ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ａｄｊｕｓｔｉｎｇ ｗａｙ ｉｎ ｔｈｅ ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｒｅｇｉｏｎ， ｔｈｅ ｒｅｖｅｒｓｅ ｓｈｏｒｔ⁃ｃｈａｎｎｅｌ ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｖｅｒｓｅ ｎａｒｒｏｗ⁃ｃｈａｎｎｅｌ ｅｆｆｅｃｔ ａｒｅ ａｐｐｌｉｅｄ ｔｏ ｉｍｐｒｏｖｅ ｔｈｅ ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ ｗａｙ． Ｈｅｎｃｅ，ｔｈｅ ａｄｄｉｔｉｏｎａｌ ｃｏｓｔ ｏｆ ａｒｅａ ａｎｄ ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｃｉｒｃｕｉｔ ｉｓｒｅｄｕｃｅｄ，ａｎｄ ｎｏｉｓｅ ｍａｒｇｉｎ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ ｉｓ ａｌｓｏ ｅｎｈａｎｃｅｄ． Ｉｎ ａｄｄｉｔｉｏｎ， ｔｈｅ ｒｅａｄｉｎｇ ａｎｄ ｗｒｉｔｉｎｇ － ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｉｓ ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙ ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ． Ａ １０ Ｔ Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ ｃｅｌｌ ｉｓ ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｉｎ １３０ ｎｍ ｐｒｏｃｅｓｓ，ａｎｄｔｅｓｔｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｅｆｆｅｃｔｓｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄｉｎｔｈｅｃｅｌｌｃａｎｓａｖｅａｂｏｕｔ７６％ｏｆ ａｒｅａｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ，ａｎｄ ｆａｃｉｌｉｔａｔｅ ３０．５％ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｉｎ ｔｈｅ ｎｏｉｓｅ